| صورة |
رقم القطعة |
مصنعين |
وصف |
رأي |
 |
CGH40035F |
Cree/Wolfspeed |
FET RF 84V 4GHZ 440193 |
تحقيق |
 |
PTFA092211ELV4XWSA1 |
Infineon Technologies |
FET RF LDMOS 220W H33288-2 |
تحقيق |
 |
BLF8G27LS-100PJ |
Ampleon USA Inc. |
RF FET LDMOS 65V 18DB SOT1121B |
تحقيق |
 |
BLP05H635XRY |
Ampleon USA Inc. |
RF FET LDMOS 135V 27DB SOT12232 |
تحقيق |
 |
BLF6G10LS-260PRN,1 |
Ampleon USA Inc. |
RF FET LDMOS 65V 22DB SOT539B |
تحقيق |
 |
MAGX-002731-100L00 |
M/A-Com Technology Solutions |
TRANSISTOR GAN 100W 2.7-3.1GHZ |
تحقيق |
 |
MRF160 |
M/A-Com Technology Solutions |
FET RF 65V 500MHZ 249-06 |
تحقيق |
 |
MRF7S38010HSR5 |
NXP USA Inc. |
FET RF 65V 3.6GHZ NI-400S |
تحقيق |
 |
ATF-33143-TR2G |
Broadcom Limited |
FET RF 5.5V 2GHZ SOT-343 |
تحقيق |
 |
PD85015STR-E |
STMicroelectronics |
TRANS RF N-CH FET POWERSO-10RF |
تحقيق |
 |
BF245C_J35Z |
Fairchild/ON Semiconductor |
JFET N-CH 30V 25MA TO92 |
تحقيق |
 |
MRF5S21045NR1 |
NXP USA Inc. |
FET RF 68V 2.12GHZ TO270-4 |
تحقيق |
 |
PTVA093002TCV1R250XTMA1 |
Infineon Technologies |
IC RF FET LDMOS H-49248H-4 |
تحقيق |
|
BLF888BS,112 |
Ampleon USA Inc. |
RF MOSFET LDMOS DUAL 50V SOT539B |
تحقيق |
 |
MRFE6VP8600HR6 |
NXP USA Inc. |
FET RF 2CH 130V 860MHZ NI1230H |
تحقيق |
|
PXAC182002FCV1R250XTMA1 |
Infineon Technologies |
IC AMP RF LDMOS |
تحقيق |
 |
BLF8G27LS-140,118 |
Ampleon USA Inc. |
RF FET LDMOS 65V 17.4DB SOT502B |
تحقيق |
 |
BLF7G24L-100,112 |
Ampleon USA Inc. |
RF FET LDMOS 65V 18DB SOT502A |
تحقيق |
|
PD20015S-E |
STMicroelectronics |
TRANS RF N-CH FET POWERSO-10RF |
تحقيق |
 |
CLF1G0035-100,112 |
Ampleon USA Inc. |
RF FET HEMT 150V 12DB SOT467C |
تحقيق |
|
MRF8S8260HSR3 |
NXP USA Inc. |
FET RF 70V 895MHZ NI880S |
تحقيق |
|
MMRF1007HSR5 |
NXP USA Inc. |
FET RF 2CH 110V 1.03GHZ NI-1230S |
تحقيق |
|
MRF7S21210HSR3 |
NXP USA Inc. |
FET RF 65V 2.17GHZ NI-780S |
تحقيق |
 |
BLM7G1822S-20PBGY |
Ampleon USA Inc. |
RF FET LDMOS 65V 32.3DB SOT12121 |
تحقيق |
|
BLF7G24LS-160P,118 |
Ampleon USA Inc. |
RF FET LDMOS 65V 18.5DB SOT539B |
تحقيق |
 |
CGHV1J070D |
Cree/Wolfspeed |
RF MOSFET HEMT 40V DIE |
تحقيق |
 |
MRF151 |
M/A-Com Technology Solutions |
FET RF N-CH 150W 50V 175MHZ |
تحقيق |
|
A2T23H160-24SR3 |
NXP USA Inc. |
IC TRANS RF LDMOS |
تحقيق |
 |
PD57006-E |
STMicroelectronics |
FET RF 65V 945MHZ PWRSO-10 |
تحقيق |
 |
ARF463BP1G |
Microsemi Corporation |
RF PWR MOSFET 500V 9A TO-247 |
تحقيق |
 |
MAGX-000245-025000 |
M/A-Com Technology Solutions |
TRANSISTOR RF 25W GAN |
تحقيق |
|
MRF19090SR3 |
NXP USA Inc. |
FET RF 65V 1.93GHZ NI-880S |
تحقيق |
 |
MRF7S19170HR5 |
NXP USA Inc. |
FET RF 65V 1.99GHZ NI-880 |
تحقيق |
 |
BLS7G2933S-150,112 |
Ampleon USA Inc. |
RF FET LDMOS 60V 13.5DB SOT9221 |
تحقيق |
 |
2N5484_D74Z |
Fairchild/ON Semiconductor |
JFET N-CH 25V 5MA TO92 |
تحقيق |
 |
BLF8G22LS-270GV,12 |
Ampleon USA Inc. |
RF FET LDMOS 65V 17.3DB SOT1244C |
تحقيق |
|
BLF8G20LS-260A,118 |
Ampleon USA Inc. |
RF FET LDMOS 65V 15.9DB SOT539B |
تحقيق |
 |
STAC3932B |
STMicroelectronics |
TRANS RF PWR N-CH 580W STAC244B |
تحقيق |
|
MRF5S19130HR5 |
NXP USA Inc. |
FET RF 65V 1.99GHZ NI-880 |
تحقيق |
 |
MRF5S9150HR5 |
NXP USA Inc. |
FET RF 68V 880MHZ NI-780S |
تحقيق |
 |
MRF9030LSR5 |
NXP USA Inc. |
FET RF 68V 945MHZ NI-360S |
تحقيق |
 |
CGHV22100F |
Cree/Wolfspeed |
FET RF 125V 2.2GHZ 440162 |
تحقيق |
|
BLC6G22LS-75,112 |
NXP USA Inc. |
FET RF LDMOS 28V 690MA SOT896B |
تحقيق |
|
BLF7G10L-250,112 |
Ampleon USA Inc. |
RF FET LDMOS 65V 19.5DB SOT502A |
تحقيق |
 |
BLF2425M6L180P,118 |
Ampleon USA Inc. |
RF FET LDMOS 65V 13.3DB SOT539A |
تحقيق |
 |
SPF-2086TK |
RFMD |
IC TRANS PHEMT 6GHZ SOT-86 |
تحقيق |
|
BLF2425M6L180P,112 |
Ampleon USA Inc. |
RF FET LDMOS 65V 13.3DB SOT539A |
تحقيق |
|
MRF8S18120HR3 |
NXP USA Inc. |
FET RF 65V 1.81GHZ NI-780 |
تحقيق |
 |
MRF8P26080HSR5 |
NXP USA Inc. |
FET RF 2CH 65V 2.62GHZ NI780S-4 |
تحقيق |
|
MRF8S18260HSR5 |
NXP USA Inc. |
FET RF 2CH 65V 1.81GHZ NI1230S-8 |
تحقيق |
