| صورة |
رقم القطعة |
مصنعين |
وصف |
رأي |
 |
CGHV14250F |
Cree/Wolfspeed |
FET RF 125V 1.4GHZ 440162 |
تحقيق |
 |
BLC6G27-100,118 |
Ampleon USA Inc. |
RF FET 28V SOT895A |
تحقيق |
 |
ON5204,127 |
NXP USA Inc. |
MOSFET RF SOT263 TO-220-5 |
تحقيق |
 |
MRF8P20100HSR5 |
NXP USA Inc. |
FET RF 2CH 65V 2.03GHZ NI780H-4 |
تحقيق |
 |
A2T18S162W31GSR3 |
NXP USA Inc. |
IC TRANS RF LDMOS |
تحقيق |
 |
MRF8P29300HR5 |
NXP USA Inc. |
FET RF 2CH 65V 2.9GHZ NI1230 |
تحقيق |
 |
BLF6G20LS-140,118 |
Ampleon USA Inc. |
RF FET LDMOS 65V 16DB SOT502B |
تحقيق |
 |
BLF278,112 |
Ampleon USA Inc. |
RF FET 2 NC 125V 22DB SOT262A1 |
تحقيق |
 |
BLF6G15LS-250PBRN, |
Ampleon USA Inc. |
RF FET 65V 18.5DB SOT1110B |
تحقيق |
 |
PTFA041501FV4R250XTMA1 |
Infineon Technologies |
FET RF LDMOS 150W H37248-2 |
تحقيق |
|
BLF6G10LS-200R,118 |
Ampleon USA Inc. |
RF FET LDMOS 65V SOT502B |
تحقيق |
 |
PTAB182002FCV1R250XTMA1 |
Infineon Technologies |
IC AMP RF LDMOS |
تحقيق |
 |
MRF8S21140HR3 |
NXP USA Inc. |
FET RF 65V 2.14GHZ NI780 |
تحقيق |
|
MRF373ALSR5 |
NXP USA Inc. |
FET RF 70V 860MHZ NI-360S |
تحقيق |
 |
RFM04U6P(TE12L,F) |
Toshiba Semiconductor and Storage |
MOSFET N-CH PW-MINI |
تحقيق |
 |
2SK3476(TE12L,Q) |
Toshiba Semiconductor and Storage |
MOSF RF N CH 20V 3A PW-X |
تحقيق |
 |
ON5173,118 |
NXP USA Inc. |
MOSFET RF SOT404 D2PAK |
تحقيق |
 |
BLC8G27LS-210PVY |
Ampleon USA Inc. |
RF FET LDMOS 65V 17DB SOT12513 |
تحقيق |
|
MRF19045LR5 |
NXP USA Inc. |
FET RF 65V 1.93GHZ NI-400 |
تحقيق |
 |
BLF3G21-6,112 |
Ampleon USA Inc. |
RF FET LDMOS 65V 15.5DB SOT538A |
تحقيق |
|
BLS7G3135LS-200U |
Ampleon USA Inc. |
RF FET LDMOS 65V 12DB SOT502B |
تحقيق |
|
MRF6S27085HR5 |
NXP USA Inc. |
FET RF 68V 2.66GHZ NI-780 |
تحقيق |
|
PTFB211803ELV1R0XTMA1 |
Infineon Technologies |
IC AMP RF LDMOS H-33288-6 |
تحقيق |
|
MRF18060ALR5 |
NXP USA Inc. |
FET RF 65V 1.88GHZ NI-780 |
تحقيق |
|
MRF1570NT1 |
NXP USA Inc. |
FET RF 40V 470MHZ TO272-8 WRAP |
تحقيق |
 |
MRF373ALSR1 |
NXP USA Inc. |
FET RF 70V 860MHZ NI-360S |
تحقيق |
 |
MRF166C |
M/A-Com Technology Solutions |
FET RF 65V 500MHZ 319-07 |
تحقيق |
 |
PTFA180701EV4R250XTMA1 |
Infineon Technologies |
IC FET RF LDMOS 70W H-36265-2 |
تحقيق |
|
MRF9060NBR1 |
NXP USA Inc. |
FET RF 65V 945MHZ TO272-2 |
تحقيق |
|
MRFG35010R1 |
NXP USA Inc. |
FET RF 15V 3.55GHZ NI360HF |
تحقيق |
 |
BLF645,112 |
Ampleon USA Inc. |
RF FET LDMOS 65V 16DB SOT540A |
تحقيق |
 |
ATF-36077-TR1 |
Broadcom Limited |
FET RF 3V 12GHZ 77-SMD |
تحقيق |
 |
BLU6H0410LS-600P,1 |
Ampleon USA Inc. |
RF FET LDMOS 110V 21DB SOT539B |
تحقيق |
 |
MRF141G |
M/A-Com Technology Solutions |
FET RF 2CH 65V 175MHZ 375-04 |
تحقيق |
 |
2N5485_D26Z |
Fairchild/ON Semiconductor |
JFET N-CH 25V 10MA TO92 |
تحقيق |
 |
BLF7G20L-90P,112 |
Ampleon USA Inc. |
RF FET LDMOS 65V 19.5DB SOT1121A |
تحقيق |
 |
PTFC270101MV1R1KXUMA1 |
Infineon Technologies |
RFP-LD10M |
تحقيق |
|
BF1203,115 |
NXP USA Inc. |
FET RF 10V 400MHZ 6TSSOP |
تحقيق |
 |
BF511,215 |
NXP USA Inc. |
JFET N-CH 20V 30MA SOT23 |
تحقيق |
|
BLF888DSU |
Ampleon USA Inc. |
RF FET LDMOS 104V 21DB SOT539B |
تحقيق |
 |
BLA6G1011LS-200RG, |
Ampleon USA Inc. |
RF FET LDMOS 65V 20DB SOT502C |
تحقيق |
|
MRF21045LR3 |
NXP USA Inc. |
FET RF 65V 2.17GHZ NI-400 |
تحقيق |
|
MRF6VP11KHR6 |
NXP USA Inc. |
FET RF 2CH 110V 130MHZ NI-1230 |
تحقيق |
 |
BLF8G22LS-205VJ |
Ampleon USA Inc. |
RF FET LDMOS 65V 18.3DB SOT1239B |
تحقيق |
 |
CGH40025F |
Cree/Wolfspeed |
FET RF 84V 6GHZ 440166 |
تحقيق |
|
PTFA241301E V1 |
Infineon Technologies |
IC FET RF LDMOS 130W H-30260-2 |
تحقيق |
|
MRF6S19100MR1 |
NXP USA Inc. |
FET RF 68V 1.99GHZ TO270-4 |
تحقيق |
 |
BF1202R,215 |
NXP USA Inc. |
MOSFET 2N-CH 10V 30MA SOT143R |
تحقيق |
|
BLC9G20XS-160AVZ |
Ampleon USA Inc. |
RF FET LDMOS 65V 16.6DB SOT12753 |
تحقيق |
 |
CGHV96050F2 |
Cree/Wolfspeed |
FET RF 100V 9.6GHZ 440210 |
تحقيق |
