BLC6G22LS-75,112 - NXP USA Inc. - الترانزستورات - فيتس، موسيتس - رف BLC6G22LS-75,112

BLC6G22LS-75,112

رقم القطعة:: BLC6G22LS-75,112

الصانع:: NXP Semiconductors / Freescale

وصف:: FET RF LDMOS 28V 690MA SOT896B

حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:: الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة

الكمية المتوفرة:: 14909 Pieces

ورقة البيانات:: BLC6G22LS-75,112.pdf

تحقيق

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل BLC6G22LS-75,112 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك BLC6G22LS-75,112 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.

يشترى BLC6G22LS-75,112 مع BYCHPS

شراء مع ضمان

مواصفات

الجهد - اختبار:	28V
الجهد - تقييمه:	65V
نوع الترانزستور:	LDMOS
تجار الأجهزة حزمة:	SOT896B, DFM2
سلسلة:	-
مخرج قوي:	17W
التعبئة والتغليف:	Tube
حزمة / كيس:	SOT896B
اسماء اخرى:	934061298112
الضوضاء الشكل:	-
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):	1 (Unlimited)
الصانع الجزء رقم:	BLC6G22LS-75,112
ربح:	18.5dB
تردد:	2.11GHz ~ 2.17GHz
وصف موسع:	RF Mosfet LDMOS 28V 690mA 2.11GHz ~ 2.17GHz 18.5dB 17W SOT896B, DFM2
وصف:	FET RF LDMOS 28V 690MA SOT896B
التصويت الحالي:	18A
الحالي - اختبار:	690mA
Email:	[email protected]

قطع الغيار ذات الصلة لBLC6G22LS-75,112

رقم القطعة	مصنعين	وصف	رأي
ARF448BG	Microsemi Corporation	RF FET N CH 450V 15A TO247	تحقيق
ON5233,118	NXP USA Inc.	MOSFET RF SOT428DPAK	تحقيق
MRF373ALR1	NXP USA Inc.	FET RF 70V 860MHZ NI-360	تحقيق
MRFG35010AR5	NXP USA Inc.	FET RF 15V 3.55GHZ NI360HF	تحقيق
MMRF1018NBR1	NXP USA Inc.	FET RF 120V 860MHZ	تحقيق
MRF5S21100HR3	NXP USA Inc.	FET RF 65V 2.17GHZ NI-780	تحقيق
BLF888AS,112	Ampleon USA Inc.	RF FET LDMOS 110V 21DB SOT539B	تحقيق
PTFB213004FV2R0XTMA1	Infineon Technologies	IC AMP RF LDMOS H-37275-6	تحقيق
NE650103M-A	CEL	FET RF 15V 2.3GHZ 3M	تحقيق
BLF6G10LS-160RN,11	Ampleon USA Inc.	RF FET LDMOS 65V 22.5DB SOT502B	تحقيق

المقدمة

مواصفات

سريع طلب اقتباس

Latest الأخبار