الترانزستورات - فيتس، موسيتس - رف

رقم القطعة	مصنعين	وصف	رأي
MAGX-000035-045000	M/A-Com Technology Solutions	TRANSISTOR GAN 3.5GHZ 45W	تحقيق
MRF5S21100HR5	NXP USA Inc.	FET RF 65V 2.17GHZ NI-780	تحقيق
2N5245	Fairchild/ON Semiconductor	JFET N-CH 30V 15MA TO92	تحقيق
MRFE6S9200HSR5	NXP USA Inc.	FET RF 66V 880MHZ NI-880S	تحقيق
MMRF1304GNR1	NXP USA Inc.	FET RF 133V 512MHZ TO270-2	تحقيق
BF 5030 E6327	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 8V 25MA SOT143	تحقيق
PTFB093608FVV2XWSA1	Infineon Technologies	IC AMP RF LDMOS	تحقيق
BLF2425M6LS180P:11	Ampleon USA Inc.	RF FET LDMOS 65V 13.3DB SOT539B	تحقيق
BLC8G27LS-140AVY	Ampleon USA Inc.	RF FET LDMOS 65V 14.5DB SOT12751	تحقيق
BLF8G38LS-75VJ	Ampleon USA Inc.	RF FET LDMOS 65V 15.5DB SOT1239B	تحقيق
PD55025-E	STMicroelectronics	FET RF 40V 500MHZ PWRSO10	تحقيق
BLF7G27L-100,112	Ampleon USA Inc.	RF FET LDMOS 65V 18DB SOT502A	تحقيق
BLC6G27-100,112	Ampleon USA Inc.	RF FET 28V SOT895A	تحقيق
BF245B	ON Semiconductor	JFET N-CH 30V 100MA TO92	تحقيق
BLP10H610Z	Ampleon USA Inc.	RF FET LDMOS 104V 22DB 12VDFN	تحقيق
MRF8S19260HSR6	NXP USA Inc.	FET RF 2CH 65V 1.99GHZ NI1230S-8	تحقيق
ARF466FL	Microsemi Corporation	RF PWR MOSFET 1000V 13A	تحقيق
2N5486RLRPG	ON Semiconductor	JFET N-CH 25V 30MA TO92	تحقيق
ATF-511P8-TR2	Broadcom Limited	FET RF 7V 2GHZ 8-LPCC	تحقيق
PTVA120501EAV1R250XTMA1	Infineon Technologies	IC AMP RF LDMOS	تحقيق
BLC9G20XS-400AVT	Ampleon USA Inc.	RF FET LDMOS 65V 16.2DB SOT12587	تحقيق
MRF1K50HR5	NXP USA Inc.	HIGH POWER RF TRANSISTOR	تحقيق
BLM8G0710S-30PBY	Ampleon USA Inc.	RF FET LDMOS 65V 35DB SOT12112	تحقيق
PTFA091201EV4R250XTMA1	Infineon Technologies	IC FET RF LDMOS 120W H-36248-2	تحقيق
NE3503M04-T2B-A	CEL	FET RF 4V 12GHZ M04	تحقيق
PD54008TR-E	STMicroelectronics	TRANS RF PWR N-CH POWERSO-10RF	تحقيق
MRFE6S9201HR5	NXP USA Inc.	FET RF 66V 880MHZ NI-780	تحقيق
MRF7S21170HS	NXP USA Inc.	FET RF 65V 2.17GHZ NI-880S	تحقيق
NE3511S02-T1C-A	CEL	IC AMP RF LNA 13.5DB S02	تحقيق
BF904R,235	NXP USA Inc.	MOSFET N-CH 7V 30MA SOT143	تحقيق
MRF6S21100HR5	NXP USA Inc.	FET RF 68V 2.17GHZ NI-780	تحقيق
BLL6G1214LS-250,11	Ampleon USA Inc.	RF FET LDMOS 89V 15DB SOT502B	تحقيق
PTFB183404EV1R0XTMA1	Infineon Technologies	IC AMP RF LDMOS H-36275-8	تحقيق
BLF1820-90,112	NXP USA Inc.	TRANSISTOR RF LDMOS SOT502A	تحقيق
BLF8G20LS-200V,115	Ampleon USA Inc.	RF FET LDMOS 65V 17DB SOT1120B	تحقيق
PTFA181001E V4 T500	Infineon Technologies	IC FET RF LDMOS	تحقيق
PTFA142401FLV4XWSA1	Infineon Technologies	IC FET RF LDMOS 240W H-34288-2	تحقيق
NE3521M04-A	CEL	IC HJ-FET N-CH GAAS 4SMINI	تحقيق
MW6S010MR1	NXP USA Inc.	FET RF 68V 960MHZ TO-270-2	تحقيق
MRF7S19210HR5	NXP USA Inc.	FET RF 65V 1.99GHZ NI780	تحقيق
AFT05MS004NT1	NXP USA Inc.	FET RF 30V 520MHZ PLD	تحقيق
BLC9G22XS-400AVT	Ampleon USA Inc.	RF FET LDMOS 65V 15.3DB SOT12587	تحقيق
MAGX-0110087	M/A-Com Technology Solutions	HEMT N-CH 600W 1030-1090MHZ	تحقيق
SLD-2083CZ	RFMD	FET RF 35V 928MHZ RF083	تحقيق
BLC9G20XS-550AVT	Ampleon USA Inc.	RF FET LDMOS 65V 15.4DB SOT12587	تحقيق
MRF7S18170HSR5	NXP USA Inc.	FET RF 65V 1.81GHZ NI-880S	تحقيق
BLC8G21LS-160AVZ	Ampleon USA Inc.	RF FET LDMOS 65V 15DB SOT12751	تحقيق
PTFA092211ELV4R250XTMA1	Infineon Technologies	FET RF LDMOS 220W H33288-3	تحقيق
BF 998 E6327	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 12V 200MA SOT-143	تحقيق
BLP8G10S-45PJ	NXP USA Inc.	TRANS LDMOS 45W 4HSOPF	تحقيق

سجلات 2,758

الصفحة الحالية:20/56سابق 12 13 14 15 16 17 18 192021 22 23 24 25 26 التالي نهاية