يشترى BLF578XR,112 مع BYCHPS
شراء مع ضمان
BLF578XR,112
- رقم القطعة:
- BLF578XR,112
- الصانع:
- Ampleon
- وصف:
- RF FET LDMOS 110V 23.5DB SOT539A
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 19744 Pieces
- ورقة البيانات:
- BLF578XR,112.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل BLF578XR,112 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك BLF578XR,112 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| الجهد - اختبار: | 50V |
|---|---|
| الجهد - تقييمه: | 110V |
| نوع الترانزستور: | LDMOS (Dual), Common Source |
| تجار الأجهزة حزمة: | SOT539A |
| سلسلة: | - |
| مخرج قوي: | 1400W |
| التعبئة والتغليف: | Tray |
| حزمة / كيس: | SOT539A |
| اسماء اخرى: | 568-12823 934065984112 BLF578XR,112-ND |
| الضوضاء الشكل: | - |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 13 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | BLF578XR,112 |
| ربح: | 23.5dB |
| تردد: | 225MHz |
| وصف موسع: | RF Mosfet LDMOS (Dual), Common Source 50V 40mA 225MHz 23.5dB 1400W SOT539A |
| وصف: | RF FET LDMOS 110V 23.5DB SOT539A |
| التصويت الحالي: | - |
| الحالي - اختبار: | 40mA |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لBLF578XR,112
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
MRF5S9101MR1 | NXP USA Inc. | FET RF 68V 960MHZ TO2704 | تحقيق |
 |
BLF571,112 | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 110V 27.5DB SOT467C | تحقيق |
 |
BLF578,112 | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 110V 24DB SOT539A | تحقيق |
 |
BLF574XRS,112 | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 110V 23DB SOT1214B | تحقيق |
 |
BLF573S,112 | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 110V 27.2DB SOT502B | تحقيق |
 |
BF2040RE6814HTSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 8V 40MA SOT-143R | تحقيق |
 |
BLF573,112 | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 110V 27.2DB SOT502A | تحقيق |
 |
MRF9045GNR1 | NXP USA Inc. | FET RF TO-270-2 GW | تحقيق |
|
BLF574,112 | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 110V 26.5DB SOT539A | تحقيق |
 |
BLF578XRS,112 | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 110V 23.5DB SOT539B | تحقيق |
|
MRF8S9202NR3 | NXP USA Inc. | FET RF 70V 920MHZ OM780-2 | تحقيق |
 |
BLF574XR,112 | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 110V 23DB SOT1214A | تحقيق |
|
A2T21H360-24SR6 | NXP USA Inc. | IC TRANS RF LDMOS | تحقيق |
|
BLF6G20-230P | NXP USA Inc. | IC BASESTATION FINAL SOT502A | تحقيق |
|
BLL8H1214L-250U | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 100V 17DB SOT502A | تحقيق |
 |
MRFG35005NT1 | NXP USA Inc. | FET RF 15V 3.55GHZ 1.5PLD | تحقيق |
 |
BLA8G1011LS-300GU | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 16DB SOT502E | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI to reduce costs in Wireless business; OMAP™ processors and wireless connectivity solutions will focus on embedded markets
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers