العربية
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Svenska✕
معلومات عنا | اتصل بنا | اطلب اقتباس |
الصفحة الرئيسية > منتجات > منتجات أشباه الموصلات المنفصلة > الترانزستورات - فيتس، موسيتس - رف > BLF573S,112
BLF573S,112
BLF573S,112
رقم القطعة:
BLF573S,112
الصانع:
Ampleon
وصف:
RF FET LDMOS 110V 27.2DB SOT502B
حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
الكمية المتوفرة:
19504 Pieces
ورقة البيانات:
BLF573S,112.pdf
تحقيق

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل BLF573S,112 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك BLF573S,112 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
يشترى BLF573S,112 مع BYCHPS
شراء مع ضمان

مواصفات

الجهد - اختبار:50V
الجهد - تقييمه:110V
نوع الترانزستور:LDMOS
تجار الأجهزة حزمة:SOT502B
سلسلة:-
مخرج قوي:300W
التعبئة والتغليف:Tray
حزمة / كيس:SOT-502B
اسماء اخرى:568-7538
568-7538-5
568-7538-5-ND
934062175112
BLF573S,112-ND
BLF573S112
الضوضاء الشكل:-
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):1 (Unlimited)
الصانع المهلة القياسية:13 Weeks
الصانع الجزء رقم:BLF573S,112
ربح:27.2dB
تردد:225MHz
وصف موسع:RF Mosfet LDMOS 50V 900mA 225MHz 27.2dB 300W SOT502B
وصف:RF FET LDMOS 110V 27.2DB SOT502B
التصويت الحالي:42A
الحالي - اختبار:900mA
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات

قطع الغيار ذات الصلة لBLF573S,112

صورة رقم القطعة مصنعين وصف رأي
BLF574,112 Image BLF574,112 Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 110V 26.5DB SOT539A تحقيق
BLF6G10-45,112 Image BLF6G10-45,112 Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 65V 22.5DB SOT608A تحقيق
BLF573,112 Image BLF573,112 Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 110V 27.2DB SOT502A تحقيق
BLL6H1214-500,112 Image BLL6H1214-500,112 Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 100V 17DB SOT539A تحقيق
MMRF1305HR5 Image MMRF1305HR5 NXP USA Inc. FET RF 2CH 133V 512MHZ NI-780-4 تحقيق
BLF578XRS,112 Image BLF578XRS,112 Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 110V 23.5DB SOT539B تحقيق
BLF574XR,112 Image BLF574XR,112 Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 110V 23DB SOT1214A تحقيق
PTFA212001EV4R250XTMA1 Image PTFA212001EV4R250XTMA1 Infineon Technologies FET RF 65V 2.14GHZ H-36260-2 تحقيق
BLF574XRS,112 Image BLF574XRS,112 Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 110V 23DB SOT1214B تحقيق
BLF578XR,112 Image BLF578XR,112 Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 110V 23.5DB SOT539A تحقيق
BLF571,112 Image BLF571,112 Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 110V 27.5DB SOT467C تحقيق
MRF5S21045MBR1 NXP USA Inc. FET RF 68V 2.17GHZ TO272-4 تحقيق
BLF25M612,112 Image BLF25M612,112 Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 65V 19DB SOT975B تحقيق
SLD-1083CZ Image SLD-1083CZ RFMD FET RF 35V 928MHZ RF083 تحقيق
MRF19125R3 NXP USA Inc. FET RF 65V 1.93GHZ NI-880 تحقيق
BLF578,112 Image BLF578,112 Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 110V 24DB SOT539A تحقيق
MRFE6VP100HSR5 Image MRFE6VP100HSR5 NXP USA Inc. FET RF 2CH 133V 512MHZ NI780 تحقيق

Latest الأخبار