يشترى BLF578XRS,112 مع BYCHPS
شراء مع ضمان
BLF578XRS,112
- رقم القطعة:
- BLF578XRS,112
- الصانع:
- Ampleon
- وصف:
- RF FET LDMOS 110V 23.5DB SOT539B
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 15418 Pieces
- ورقة البيانات:
- BLF578XRS,112.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل BLF578XRS,112 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك BLF578XRS,112 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| الجهد - اختبار: | 50V |
|---|---|
| الجهد - تقييمه: | 110V |
| نوع الترانزستور: | LDMOS (Dual), Common Source |
| تجار الأجهزة حزمة: | SOT539B |
| سلسلة: | - |
| مخرج قوي: | 1400W |
| التعبئة والتغليف: | Tray |
| حزمة / كيس: | SOT539B |
| اسماء اخرى: | 934066466112 |
| الضوضاء الشكل: | - |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 13 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | BLF578XRS,112 |
| ربح: | 23.5dB |
| تردد: | 225MHz |
| وصف موسع: | RF Mosfet LDMOS (Dual), Common Source 50V 40mA 225MHz 23.5dB 1400W SOT539B |
| وصف: | RF FET LDMOS 110V 23.5DB SOT539B |
| التصويت الحالي: | - |
| الحالي - اختبار: | 40mA |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لBLF578XRS,112
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
BLF573S,112 | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 110V 27.2DB SOT502B | تحقيق |
 |
PTFA092201FV4XWSA1 | Infineon Technologies | IC FET RF LDMOS 220W H-37260-2 | تحقيق |
 |
BLF578XR,112 | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 110V 23.5DB SOT539A | تحقيق |
 |
AFT18S290-13SR3 | NXP USA Inc. | FET RF 65V 1.96GHZ NI-880X-2L4S | تحقيق |
 |
PD84008S-E | STMicroelectronics | TRANS RF N-CH FET POWERSO-10RF | تحقيق |
 |
PTFA192001E1V4XWSA1 | Infineon Technologies | FET RF 65V 1.99GHZ H-36260-2 | تحقيق |
|
PTFA080551F V1 | Infineon Technologies | IC FET RF LDMOS 55W H-37265-2 | تحقيق |
 |
PTAC260302FCV1XWSA1 | Infineon Technologies | IC AMP RF LDMOS | تحقيق |
 |
BLF573,112 | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 110V 27.2DB SOT502A | تحقيق |
 |
BLC9G24XS-170AVZ | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 15.5DB SOT12753 | تحقيق |
|
MRF7S16150HSR5 | NXP USA Inc. | FET RF 65V 1.66GHZ NI-780S | تحقيق |
 |
VRF161MP | Microsemi Corporation | FET RF NCH 170V 30MHZ M174 | تحقيق |
 |
BLF574XRS,112 | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 110V 23DB SOT1214B | تحقيق |
 |
MRF8S21200HSR6 | NXP USA Inc. | FET RF 2CH 65V 2.14GHZ NI-1230HS | تحقيق |
|
BLF578,112 | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 110V 24DB SOT539A | تحقيق |
 |
BLF571,112 | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 110V 27.5DB SOT467C | تحقيق |
 |
BLF574XR,112 | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 110V 23DB SOT1214A | تحقيق |
|
BLF574,112 | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 110V 26.5DB SOT539A | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog