يشترى BLF574XR,112 مع BYCHPS
شراء مع ضمان
BLF574XR,112
- رقم القطعة:
- BLF574XR,112
- الصانع:
- Ampleon
- وصف:
- RF FET LDMOS 110V 23DB SOT1214A
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 19572 Pieces
- ورقة البيانات:
- BLF574XR,112.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل BLF574XR,112 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك BLF574XR,112 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| الجهد - اختبار: | 50V |
|---|---|
| الجهد - تقييمه: | 110V |
| نوع الترانزستور: | LDMOS (Dual), Common Source |
| تجار الأجهزة حزمة: | SOT1214A |
| سلسلة: | - |
| مخرج قوي: | 600W |
| التعبئة والتغليف: | Tube |
| حزمة / كيس: | SOT-1214A |
| اسماء اخرى: | 568-12822 934067086112 BLF574XR,112-ND |
| الضوضاء الشكل: | - |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 13 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | BLF574XR,112 |
| ربح: | 23.5dB |
| تردد: | 225MHz |
| وصف موسع: | RF Mosfet LDMOS (Dual), Common Source 50V 100mA 225MHz 23.5dB 600W SOT1214A |
| وصف: | RF FET LDMOS 110V 23DB SOT1214A |
| التصويت الحالي: | - |
| الحالي - اختبار: | 100mA |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لBLF574XR,112
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
BLF574,112 | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 110V 26.5DB SOT539A | تحقيق |
 |
BLF574XRS,112 | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 110V 23DB SOT1214B | تحقيق |
 |
LET9150 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 80V 20A M-246 | تحقيق |
 |
MRF7S18125AHSR5 | NXP USA Inc. | FET RF 65V 1.88GHZ NI780S | تحقيق |
|
BLF578,112 | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 110V 24DB SOT539A | تحقيق |
 |
BLS6G3135S-120,112 | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 60V 11DB SOT502B | تحقيق |
 |
PTFA082201F V1 | Infineon Technologies | IC FET RF LDMOS 220W H-37260-2 | تحقيق |
 |
BLF573,112 | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 110V 27.2DB SOT502A | تحقيق |
 |
BLF578XRS,112 | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 110V 23.5DB SOT539B | تحقيق |
|
BLF573S,112 | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 110V 27.2DB SOT502B | تحقيق |
|
BLF578XR,112 | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 110V 23.5DB SOT539A | تحقيق |
 |
2N5952_D75Z | Fairchild/ON Semiconductor | JFET N-CH 30V 8MA TO92 | تحقيق |
 |
BLF571,112 | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 110V 27.5DB SOT467C | تحقيق |
 |
BLF8G19LS-170BV,11 | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 18DB SOT1120B | تحقيق |
|
PTFB191501FV1XWSA1 | Infineon Technologies | FET RF LDMOS 150W H37248-2 | تحقيق |
 |
NE3516S02-A | CEL | IC HJ-FET RF N-CH S02 4-MICROX | تحقيق |
 |
BLM7G1822S-40PBY | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 31.5DB SOT12111 | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog