NE3516S02-A
NE3516S02-A
رقم القطعة:
NE3516S02-A
الصانع:
CEL (California Eastern Laboratories)
وصف:
IC HJ-FET RF N-CH S02 4-MICROX
حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
الكمية المتوفرة:
19208 Pieces
ورقة البيانات:
NE3516S02-A.pdf

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل NE3516S02-A ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك NE3516S02-A عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
يشترى NE3516S02-A مع BYCHPS
شراء مع ضمان

مواصفات

الجهد - اختبار:2V
الجهد - تقييمه:4V
نوع الترانزستور:N-Channel GaAs HJ-FET
تجار الأجهزة حزمة:S02
سلسلة:-
مخرج قوي:165mW
التعبئة والتغليف:Bulk
حزمة / كيس:4-SMD, Flat Leads
الضوضاء الشكل:0.35dB
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):1 (Unlimited)
الصانع الجزء رقم:NE3516S02-A
ربح:14dB
تردد:12GHz
وصف موسع:RF Mosfet N-Channel GaAs HJ-FET 2V 10mA 12GHz 14dB 165mW S02
وصف:IC HJ-FET RF N-CH S02 4-MICROX
التصويت الحالي:60mA
الحالي - اختبار:10mA
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات