يشترى MRF5S21045MBR1 مع BYCHPS
شراء مع ضمان
MRF5S21045MBR1
- رقم القطعة:
- MRF5S21045MBR1
- وصف:
- FET RF 68V 2.17GHZ TO272-4
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- يحتوي الرصاص / بنفايات غير متوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 18204 Pieces
- ورقة البيانات:
- MRF5S21045MBR1.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل MRF5S21045MBR1 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك MRF5S21045MBR1 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| الجهد - اختبار: | 28V |
|---|---|
| الجهد - تقييمه: | 68V |
| نوع الترانزستور: | LDMOS |
| تجار الأجهزة حزمة: | TO-272 WB-4 |
| سلسلة: | - |
| مخرج قوي: | 10W |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | TO-272-4 |
| الضوضاء الشكل: | - |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 3 (168 Hours) |
| الصانع الجزء رقم: | MRF5S21045MBR1 |
| ربح: | 14.5dB |
| تردد: | 2.11GHz ~ 2.17GHz |
| وصف موسع: | RF Mosfet LDMOS 28V 500mA 2.11GHz ~ 2.17GHz 14.5dB 10W TO-272 WB-4 |
| وصف: | FET RF 68V 2.17GHZ TO272-4 |
| التصويت الحالي: | - |
| الحالي - اختبار: | 500mA |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لMRF5S21045MBR1
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
MRF5S21150HR3 | NXP USA Inc. | FET RF 65V 2.17GHZ NI-880 | تحقيق |
 |
MRF5S21130HR5 | NXP USA Inc. | FET RF 65V 2.17GHZ NI-880 | تحقيق |
 |
MRF5S21090HR5 | NXP USA Inc. | FET RF 65V 2.11GHZ NI-780 | تحقيق |
|
MRF5S21100HR3 | NXP USA Inc. | FET RF 65V 2.17GHZ NI-780 | تحقيق |
 |
MRF5S21045NR1 | NXP USA Inc. | FET RF 68V 2.12GHZ TO270-4 | تحقيق |
|
MRF5S21100HSR5 | NXP USA Inc. | FET RF 65V 2.17GHZ NI-780S | تحقيق |
|
MRF5S21090HSR3 | NXP USA Inc. | FET RF 65V 2.11GHZ NI-780S | تحقيق |
|
MRF5S21130HR3 | NXP USA Inc. | FET RF 65V 2.17GHZ NI-880 | تحقيق |
 |
MRF5S21045NBR1 | NXP USA Inc. | FET RF 68V 2.12GHZ TO272-4 | تحقيق |
|
MRF5S21090HR3 | NXP USA Inc. | FET RF 65V 2.11GHZ NI-780 | تحقيق |
|
MRF5S21045MR1 | NXP USA Inc. | FET RF 68V 2.17GHZ TO270-4 | تحقيق |
|
MRF5S21090HSR5 | NXP USA Inc. | FET RF 65V 2.11GHZ NI-780S | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog