| صورة |
رقم القطعة |
مصنعين |
وصف |
رأي |
 |
PTFB262406EV1XWSA1 |
Infineon Technologies |
IC FET RF LDMOS |
تحقيق |
 |
MRF6S27015NR1 |
NXP USA Inc. |
FET RF 68V 2.6GHZ TO270-2 |
تحقيق |
 |
MRFE6S9160HR3 |
NXP USA Inc. |
FET RF 66V 880MHZ NI-780 |
تحقيق |
 |
BF256A |
ON Semiconductor |
JFET N-CH 30V 7MA TO92 |
تحقيق |
 |
MMRF1320NR1 |
NXP USA Inc. |
TRANS 1.8--600MHZ 150W CW 50V |
تحقيق |
|
BF256AG |
ON Semiconductor |
JFET N-CH 30V 7MA TO92 |
تحقيق |
|
PXAC192908FVV1R250XTMA1 |
Infineon Technologies |
IC AMP RF LDMOS |
تحقيق |
|
BF1102R,115 |
NXP USA Inc. |
FET RF 7V 800MHZ 6TSSOP |
تحقيق |
|
MRF6S21140HSR5 |
NXP USA Inc. |
FET RF 68V 2.12GHZ NI-880S |
تحقيق |
 |
CLF1G0060S-30U |
Ampleon USA Inc. |
RF FET HEMT 150V 13DB SOT1227B |
تحقيق |
 |
SD2931-12W |
STMicroelectronics |
IC TRANS RF HF/VHF/UHF |
تحقيق |
 |
BLA6G1011-200R,112 |
Ampleon USA Inc. |
RF FET LDMOS 65V 20DB SOT502A |
تحقيق |
 |
PD55003L-E |
STMicroelectronics |
TRANSISTOR RF 5X5 POWERFLAT |
تحقيق |
|
BLF10M6200U |
Ampleon USA Inc. |
RF FET LDMOS 65V 20DB SOT502A |
تحقيق |
|
MRF19085LR3 |
NXP USA Inc. |
FET RF 65V 1.99GHZ NI-780 |
تحقيق |
|
MRF19045LSR3 |
NXP USA Inc. |
FET RF 65V 1.93GHZ NI-400S |
تحقيق |
 |
PD57002 |
STMicroelectronics |
FET RF 65V 960MHZ PWRSO-10 |
تحقيق |
 |
BLF8G27LS-100U |
Ampleon USA Inc. |
RF FET LDMOS 65V 17DB SOT502B |
تحقيق |
 |
BLF8G20LS-200V,118 |
Ampleon USA Inc. |
RF FET LDMOS 65V 17DB SOT1120B |
تحقيق |
 |
MRF8P9040NBR1 |
NXP USA Inc. |
FET RF 2CH 70V 960MHZ TO272-4 |
تحقيق |
|
MRF7S35015HSR3 |
NXP USA Inc. |
FET RF 65V 3.5GHZ NI-400S-240 |
تحقيق |
 |
VRF191 |
Microsemi Corporation |
MOSFET RF N-CH 100V 150W T11 |
تحقيق |
|
BLF7G27L-135,112 |
Ampleon USA Inc. |
TRANSISTOR RF PWR LDMOS SOT502A |
تحقيق |
|
AFT23H160-25SR3 |
NXP USA Inc. |
IC TRANS RF LDMOS |
تحقيق |
|
BF886H6327XTSA1 |
Infineon Technologies |
MOSFET N-CH RF 12V 30MA SOT-343 |
تحقيق |
 |
150-501N04A-00 |
IXYS |
RF MOSFET N-CHANNEL DE150 |
تحقيق |
 |
MRF8P23080HSR3 |
NXP USA Inc. |
FET RF 2CH 65V 2.3GHZ NI780S-4 |
تحقيق |
|
PTAC240502FCV1R0XTMA1 |
Infineon Technologies |
IC AMP RF LDMOS H-37248-4 |
تحقيق |
 |
BLD6G22L-50,112 |
Ampleon USA Inc. |
RF FET LDMOS 65V 14DB SOT1130A |
تحقيق |
|
AFT21S230-12SR3 |
NXP USA Inc. |
FET RF 65V 2.11GHZ NI780-2L2L |
تحقيق |
 |
MRFE6S9200HR3 |
NXP USA Inc. |
FET RF 66V 880MHZ NI-880 |
تحقيق |
 |
2SK3557-7-TB-E |
ON Semiconductor |
JFET N-CH 15V 50MA SOT23 |
تحقيق |
|
MRF6VP121KHSR5 |
NXP USA Inc. |
FET RF 2CH 110V 1.03GHZ NI1230H |
تحقيق |
 |
BF1101WR,115 |
NXP USA Inc. |
MOSFET N-CH 7V DUAL SOT343R |
تحقيق |
 |
ATF-521P8-BLK |
Broadcom Limited |
FET RF 7V 2GHZ 8-LPCC |
تحقيق |
|
AFT18S230SR5 |
NXP USA Inc. |
FET RF 65V 1.88GHZ NI780S-6 |
تحقيق |
|
BLF6G27LS-135,118 |
Ampleon USA Inc. |
RF FET LDMOS 65V 16DB SOT502B |
تحقيق |
 |
BLF6G10S-45,112 |
Ampleon USA Inc. |
RF FET LDMOS 65V 23DB SOT608B |
تحقيق |
 |
MMBF102 |
Fairchild/ON Semiconductor |
JFET N-CH 25V 20MA SOT23 |
تحقيق |
|
BLS2933-100,112 |
Ampleon USA Inc. |
RF FET LDMOS 65V 8DB SOT502A |
تحقيق |
|
BF1101WR,135 |
NXP USA Inc. |
MOSFET N-CH 7V DUAL SOT343R |
تحقيق |
 |
BLF7G27L-150P,112 |
Ampleon USA Inc. |
RF FET LDMOS 65V 16DB SOT539A |
تحقيق |
|
MRF7S21080HR5 |
NXP USA Inc. |
FET RF 65V 2.17GHZ NI-780 |
تحقيق |
 |
ARF1501 |
Microsemi Corporation |
MOSFET RF N-CH 1000V 30A T1 |
تحقيق |
 |
BLF2425M9LS140J |
Ampleon USA Inc. |
TRANS RF 140W LDMOST |
تحقيق |
|
PTFB192503FLV2R250XTMA1 |
Infineon Technologies |
IC AMP RF LDMOS |
تحقيق |
|
2N3819 |
ON Semiconductor |
JFET N-CH 25V 100MA TO92 |
تحقيق |
 |
MAGX-000035-030000 |
M/A-Com Technology Solutions |
TRANSISTOR GAN 30WCW 0.03-3.5GHZ |
تحقيق |
|
PTFB212503FLV2R0XTMA1 |
Infineon Technologies |
IC AMP RF LDMOS H-34288-4 |
تحقيق |
|
MRF19085LR5 |
NXP USA Inc. |
FET RF 65V 1.99GHZ NI-780 |
تحقيق |
