الترانزستورات - فيتس، موسيتس - رف

رقم القطعة	مصنعين	وصف	رأي
MMRF2010NR1	NXP USA Inc.	TRANS RF LDMOS 250W 50V	تحقيق
ON5214,118	NXP USA Inc.	MOSFET RF SOT426 D2PAK	تحقيق
VRF161MP	Microsemi Corporation	FET RF NCH 170V 30MHZ M174	تحقيق
BLF7G27LS-100,118	Ampleon USA Inc.	RF FET LDMOS 65V 18DB SOT502B	تحقيق
MRF8P20160HSR5	NXP USA Inc.	FET RF 2CH 65V 1.92GHZ	تحقيق
MRF8HP21130HR3	NXP USA Inc.	FET RF 2CH 65V 2.17GHZ NI780-4	تحقيق
PTFA212401E V4 R250	Infineon Technologies	FET RF 65V 2.14GHZ H-36260-2	تحقيق
CLF1G0060S-10U	Ampleon USA Inc.	RF FET HEMT 150V 14.5DB SOT1227B	تحقيق
PD85035-E	STMicroelectronics	FET RF 40V 870MHZ	تحقيق
MRF6S21140HR3	NXP USA Inc.	FET RF 68V 2.12GHZ NI-880	تحقيق
3SK264-5-TG-E	ON Semiconductor	FET RF 15V 200MHZ CP4	تحقيق
SD56120C	STMicroelectronics	FET RF 72V 860MHZ M246	تحقيق
PTVA127002EVV1R0XTMA1	Infineon Technologies	IC AMP RF LDMOS H-36275-4	تحقيق
BG3430RE6327HTSA1	Infineon Technologies	MOSFET N-CH DUAL 8V 25MA SOT-363	تحقيق
MRF6S24140HS	NXP USA Inc.	FET RF 68V 2.39GHZ NI-880S	تحقيق
2SK209-Y(TE85L,F)	Toshiba Semiconductor and Storage	JFET N-CH SOT23	تحقيق
MRFE6VP100HR5	NXP USA Inc.	FET RF 2CH 133V 512MHZ NI780	تحقيق
MRF7S21150HSR3	NXP USA Inc.	FET RF 65V 2.17GHZ NI-780S	تحقيق
PTFB211503FLV2R250XTMA1	Infineon Technologies	IC AMP RF LDMOS	تحقيق
2735GN-100M	Microsemi Corporation	FETS RF GAN 150V 2.7-3.5GHZ 55QP	تحقيق
BLF7G21LS-160P,112	Ampleon USA Inc.	RF FET LDMOS 65V 18DB SOT1121B	تحقيق
IXZR08N120A-00	IXYS	RF MOSFET N-CHANNEL PLUS247-3	تحقيق
BLF6G15L-500H,112	Ampleon USA Inc.	RF FET LDMOS 100V 16DB SOT539A	تحقيق
AFT09MP055NR1	NXP USA Inc.	FET RF 2CH 40V 870MHZ TO-270	تحقيق
MRF5S21130HR3	NXP USA Inc.	FET RF 65V 2.17GHZ NI-880	تحقيق
J304_D26Z	Fairchild/ON Semiconductor	JFET N-CH 30V 15MA TO92	تحقيق
MRF5S21045NBR1	NXP USA Inc.	FET RF 68V 2.12GHZ TO272-4	تحقيق
BLF6G38-10G,118	Ampleon USA Inc.	RF FET LDMOS 65V 14DB SOT975C	تحقيق
MRF8P20160HR5	NXP USA Inc.	FET RF 2CH 65V 1.92GHZ	تحقيق
BLF7G27LS-90P,112	Ampleon USA Inc.	RF FET LDMOS 65V 18.5DB SOT1121B	تحقيق
PTFC210202FCV1R0XTMA1	Infineon Technologies	IC AMP RF LDMOS H-37248-4	تحقيق
MAGX-002731-030L00	M/A-Com Technology Solutions	TRANSISTOR GAN 30WPK 2.7-3.1GHZ	تحقيق
BLF9G20LS-160VU	Ampleon USA Inc.	RF FET LDMOS 65V 19.8DB SOT1120B	تحقيق
AFT18H356-24SR6	NXP USA Inc.	FET RF 2CH 65V 1.88GHZ NI1230-4	تحقيق
SPF-3143	RFMD	IC TRANS PHEMT 10GHZ SOT-343	تحقيق
MAGX-000025-150000	M/A-Com Technology Solutions	TRANSISTOR RF 150W GAN	تحقيق
BF888H6327XTSA1	Infineon Technologies	MOSFET N-CH RF 12V 30MA SOT-343	تحقيق
ON5250,135	NXP USA Inc.	MOSFET RF SOT223 SC-73	تحقيق
ARF461CG	Microsemi Corporation	RF MOSFET N-CH 1000V TO247	تحقيق
BLF7G27L-75P,118	Ampleon USA Inc.	RF FET LDMOS 65V 17DB SOT1121A	تحقيق
MRFE6VP61K25HR6	NXP USA Inc.	FET RF 2CH 133V 230MHZ NI-1230	تحقيق
MAGX-000035-01500P	M/A-Com Technology Solutions	FET RF 65V 3.5GHZ 14DFN	تحقيق
CGH60008D	Cree/Wolfspeed	RF MOSFET HEMT 28V DIE	تحقيق
MRF6S19060MBR1	NXP USA Inc.	FET RF 68V 1.93GHZ TO272-4	تحقيق
CGHV40100F	Cree/Wolfspeed	FET RF 125V 3GHZ 440193	تحقيق
BLC9G15LS-400AVTY	Ampleon USA Inc.	RF FET LDMOS 65V 16DB SOT12583	تحقيق
LET9045S	STMicroelectronics	TRANSISTOR RF POWER N-CH 80V 9A	تحقيق
VRF2944	Microsemi Corporation	MOSF RF N CH 170V 50A M177	تحقيق
PTFB093608FVV2S250XTMA1	Infineon Technologies	IC FET RF LDMOS H-362620-2	تحقيق
MRF6S18140HR5	NXP USA Inc.	FET RF 68V 1.88GHZ NI880	تحقيق

سجلات 2,758

الصفحة الحالية:44/56سابق 36 37 38 39 40 41 42 434445 46 47 48 49 50 التالي نهاية