BLS2933-100,112 - Ampleon USA Inc. - الترانزستورات - فيتس، موسيتس - رف BLS2933-100,112

BLS2933-100,112

رقم القطعة:: BLS2933-100,112

الصانع:: Ampleon

وصف:: RF FET LDMOS 65V 8DB SOT502A

حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:: الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة

الكمية المتوفرة:: 16620 Pieces

ورقة البيانات:: BLS2933-100,112.pdf

تحقيق

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل BLS2933-100,112 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك BLS2933-100,112 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.

يشترى BLS2933-100,112 مع BYCHPS

شراء مع ضمان

مواصفات

الجهد - اختبار:	32V
الجهد - تقييمه:	65V
نوع الترانزستور:	LDMOS
تجار الأجهزة حزمة:	LDMOST
سلسلة:	-
مخرج قوي:	100W
التعبئة والتغليف:	Tray
حزمة / كيس:	SOT-502A
اسماء اخرى:	934059598112
الضوضاء الشكل:	-
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):	1 (Unlimited)
الصانع الجزء رقم:	BLS2933-100,112
ربح:	8dB
تردد:	2.9GHz ~ 3.3GHz
وصف موسع:	RF Mosfet LDMOS 32V 20mA 2.9GHz ~ 3.3GHz 8dB 100W LDMOST
وصف:	RF FET LDMOS 65V 8DB SOT502A
التصويت الحالي:	12A
الحالي - اختبار:	20mA
Email:	[email protected]

قطع الغيار ذات الصلة لBLS2933-100,112

رقم القطعة	مصنعين	وصف	رأي
2N5952_J35Z	Fairchild/ON Semiconductor	JFET N-CH 30V 8MA TO92	تحقيق
BF256B	Fairchild/ON Semiconductor	JFET N-CH 30V 13MA TO92	تحقيق
ON5240,118	NXP USA Inc.	MOSFET RF SOT426 D2PAK	تحقيق
PTFB091802FCV1R0XTMA1	Infineon Technologies	IC AMP RF LDMOS H-37248-4	تحقيق
AFT09S200W02SR3	NXP USA Inc.	TRANSISTOR RF LDMOS 4W PLD	تحقيق
PTFA192001FV4FWSA1	Infineon Technologies	IC FET RF LDMOS 200W H-37260-2	تحقيق
BLC9G20XS-160AVZ	Ampleon USA Inc.	RF FET LDMOS 65V 16.6DB SOT12753	تحقيق
PTFA092211FLV4R250XTMA1	Infineon Technologies	IC FET RF LDMOS	تحقيق
CGH40006S	Cree/Wolfspeed	FET RF 84V 6GHZ 6QFN	تحقيق
PXAC241702FCV1R0XTMA1	Infineon Technologies	IC AMP RF LDMOS H-37248-4	تحقيق
MRF6S21060NBR1	NXP USA Inc.	FET RF 68V 2.12GHZ TO272-4	تحقيق
MAGX-001214-500L00	M/A-Com Technology Solutions	TRANSISTOR GAN 500W 1.2-1.4GHZ	تحقيق

المقدمة

مواصفات

سريع طلب اقتباس

Latest الأخبار