| صورة |
رقم القطعة |
مصنعين |
وصف |
رأي |
 |
BF245B,112 |
NXP USA Inc. |
JFET N-CH 30V 15MA TO92 |
تحقيق |
 |
BLF6G20-180RN,112 |
Ampleon USA Inc. |
RF FET LDMOS 65V 17.2DB SOT502A |
تحقيق |
 |
BF908R,215 |
NXP USA Inc. |
MOSFET DUAL GATE 12V 40MA SOT143 |
تحقيق |
 |
MRF6S27015GNR1 |
NXP USA Inc. |
FET RF 68V 2.6GHZ TO270-2 GW |
تحقيق |
 |
NE5550279A-A |
CEL |
FET RF 30V 900MHZ 79A |
تحقيق |
 |
PTAC210802FCV1R0XTMA1 |
Infineon Technologies |
IC AMP RF LDMOS H-37248-4 |
تحقيق |
 |
MRF5S21090HR3 |
NXP USA Inc. |
FET RF 65V 2.11GHZ NI-780 |
تحقيق |
 |
PTF180101M V1 |
Infineon Technologies |
IC FET RF LDMOS 10W TSSOP-10 |
تحقيق |
|
MRF6V12250HR5 |
NXP USA Inc. |
FET RF 100V 1.03GHZ NI-780 |
تحقيق |
|
MRF8S18260HR5 |
NXP USA Inc. |
FET RF 2CH 65V 1.81GHZ NI1230-8 |
تحقيق |
 |
BF545B,215 |
NXP USA Inc. |
JFET N-CH 30V 15MA SOT23 |
تحقيق |
|
PTRA093302FCV1R2XTMA1 |
Infineon Technologies |
IC RF FET LDMOS 330W H-37248-4 |
تحقيق |
 |
BLF574XR,112 |
Ampleon USA Inc. |
RF FET LDMOS 110V 23DB SOT1214A |
تحقيق |
 |
PTFA091201GL V1 |
Infineon Technologies |
IC FET RF LDMOS 120W PG-63248-2 |
تحقيق |
 |
BLC8G27LS-140AVZ |
Ampleon USA Inc. |
RF FET LDMOS 65V 14.5DB SOT12751 |
تحقيق |
|
PTFC260202FCV1XWSA1 |
Infineon Technologies |
IC AMP RF LDMOS |
تحقيق |
 |
CGHV14500F |
Cree/Wolfspeed |
FET RF 125V 1.4GHZ 440117 |
تحقيق |
 |
MRF6P21190HR5 |
NXP USA Inc. |
FET RF 68V 2.12GHZ NI-1230 |
تحقيق |
|
PTFB192557SHV1XWSA1 |
Infineon Technologies |
IC FET RF LDMOS H-34288G-4/2 |
تحقيق |
 |
BLF6G22L-40P,118 |
Ampleon USA Inc. |
RF FET LDMOS 65V 19DB SOT1121A |
تحقيق |
 |
AFT18HW355SR5 |
NXP USA Inc. |
FET RF 2CH 65V 1.88GHZ NI1230S-4 |
تحقيق |
|
MRF282ZR1 |
NXP USA Inc. |
FET RF 65V 2GHZ NI-200Z |
تحقيق |
 |
IXZH10N50L2B |
IXYS |
RF MOSFET N-CHANNEL TO-247 |
تحقيق |
|
PTFC210202FCV1R250XTMA1 |
Infineon Technologies |
IC AMP RF LDMOS |
تحقيق |
 |
ON5240,118 |
NXP USA Inc. |
MOSFET RF SOT426 D2PAK |
تحقيق |
|
MRF5S4140HSR3 |
NXP USA Inc. |
FET RF 65V 465MHZ NI-780S |
تحقيق |
|
MRF6P24190HR5 |
NXP USA Inc. |
FET RF 68V 2.39GHZ NI-1230 |
تحقيق |
 |
BLF548,112 |
Ampleon USA Inc. |
RF FET 2 NC 65V 11DB SOT262A2 |
تحقيق |
 |
BLF7G20LS-200,118 |
Ampleon USA Inc. |
RF FET LDMOS 65V 18DB SOT502B |
تحقيق |
|
MRF8S18260HR6 |
NXP USA Inc. |
FET RF 2CH 65V 1.81GHZ NI1230-8 |
تحقيق |
 |
PTFA070601FV4R250XTMA1 |
Infineon Technologies |
FET RF LDMOS 60W H37265-3 |
تحقيق |
|
BF2030E6814HTSA1 |
Infineon Technologies |
MOSFET N-CH 8V 40MA SOT-143 |
تحقيق |
|
PTFB213004FV2R0XTMA1 |
Infineon Technologies |
IC AMP RF LDMOS H-37275-6 |
تحقيق |
|
PTF240101S V1 |
Infineon Technologies |
FET RF 65V 2.68GHZ H-32259-2 |
تحقيق |
 |
PD55008 |
STMicroelectronics |
FET RF 40V 500MHZ POWERFLAT |
تحقيق |
 |
BLF9G24LS-230VJ |
Ampleon USA Inc. |
TRANS RF 230W ACC-6 |
تحقيق |
 |
BLS7G2730LS-200PU |
Ampleon USA Inc. |
RF FET LDMOS 65V 12DB SOT539B |
تحقيق |
|
MRF5P20180HR6 |
NXP USA Inc. |
FET RF 65V 1.99GHZ NI-1230 |
تحقيق |
|
MRF6S19200HR5 |
NXP USA Inc. |
FET RF 66V 1.99GHZ NI780 |
تحقيق |
|
ON5452,518 |
NXP USA Inc. |
MOSFET RF 20SOIC |
تحقيق |
|
PTFA081501E1V4XWSA1 |
Infineon Technologies |
IC RF FET LDMOS H-36248-2 |
تحقيق |
 |
NE650103M-A |
CEL |
FET RF 15V 2.3GHZ 3M |
تحقيق |
 |
BLC9G20XS-400AVTZ |
Ampleon USA Inc. |
RF FET LDMOS 65V 16.2DB SOT12587 |
تحقيق |
|
BLF10M6LS160U |
Ampleon USA Inc. |
RF FET LDMOS 65V 22.5DB SOT502B |
تحقيق |
|
A2T21S260-12SR3 |
NXP USA Inc. |
IC TRANS RF LDMOS |
تحقيق |
|
BLF6G10S-45K,118 |
Ampleon USA Inc. |
RF FET LDMOS 65V 23DB SOT608B |
تحقيق |
 |
BF245B_D74Z |
Fairchild/ON Semiconductor |
JFET N-CH 30V 15MA TO92 |
تحقيق |
|
MRF8S9100HR5 |
NXP USA Inc. |
FET RF 70V 920MHZ NI-780 |
تحقيق |
|
BLF8G22LS-140U |
Ampleon USA Inc. |
RF FET LDMOS 65V 18.5DB SOT502B |
تحقيق |
 |
CGH09120F |
Cree/Wolfspeed |
RF MOSFET HEMT 28V 440095 |
تحقيق |
