| صورة |
رقم القطعة |
مصنعين |
وصف |
رأي |
 |
2N5246_D74Z |
Fairchild/ON Semiconductor |
JFET N-CH 30V 7MA TO92 |
تحقيق |
 |
BLP10H603Z |
Ampleon USA Inc. |
RF FET LDMOS 104V 22DB 12VDFN |
تحقيق |
 |
ATF-33143-TR1G |
Broadcom Limited |
FET RF 5.5V 2GHZ SOT-343 |
تحقيق |
 |
PTFA092213FLV5R250XTMA1 |
Infineon Technologies |
IC FET RF LDMOS H-34288-6 |
تحقيق |
 |
MRF7S19170HSR3 |
NXP USA Inc. |
FET RF 65V 1.99GHZ NI-880S |
تحقيق |
 |
BLS7G2729L-350P,11 |
Ampleon USA Inc. |
RF FET LDMOS 65V 13DB SOT539A |
تحقيق |
 |
BLF7G27L-90P,112 |
Ampleon USA Inc. |
RF FET LDMOS 65V 18.5DB SOT1121A |
تحقيق |
 |
PXAC261202FCV1XWSA1 |
Infineon Technologies |
FET RF 2CH 65V 2.61GHZ |
تحقيق |
|
PTFA260851E V1 R250 |
Infineon Technologies |
FET RF 65V 2.68GHZ H-30248-2 |
تحقيق |
|
MRF7S35120HSR5 |
NXP USA Inc. |
FET RF 65V 3.5GHZ NI-780S |
تحقيق |
 |
PD57018STR-E |
STMicroelectronics |
TRANSISTOR RF POWERSO-10 |
تحقيق |
 |
BLF6G10L-260PBM,11 |
Ampleon USA Inc. |
RF FET LDMOS 65V SOT1110A |
تحقيق |
 |
BLF2043F,135 |
Ampleon USA Inc. |
RF FET LDMOS 65V 11DB SOT467C |
تحقيق |
|
MRF6S23140HSR5 |
NXP USA Inc. |
FET RF 68V 2.39GHZ NI-880S |
تحقيق |
 |
BF992,215 |
NXP USA Inc. |
MOSFET NCH DUAL GATE 20V SOT143B |
تحقيق |
 |
ON5174,118 |
NXP USA Inc. |
MOSFET RF SOT426 D2PAK |
تحقيق |
 |
MRF8S19140HR3 |
NXP USA Inc. |
FET RF 65V 1.96GHZ NI780H |
تحقيق |
|
MRF372R3 |
NXP USA Inc. |
FET RF 68V 863MHZ NI-860C3 |
تحقيق |
|
MRF7S21150HR3 |
NXP USA Inc. |
FET RF 65V 2.17GHZ NI-780 |
تحقيق |
|
MMRF5015NR5 |
NXP USA Inc. |
TRANS RF N-CH 125W 50V |
تحقيق |
 |
PD55003S |
STMicroelectronics |
FET RF 40V 500MHZ PWRSO-10 |
تحقيق |
|
MRF9210R3 |
NXP USA Inc. |
FET RF 65V 880MHZ 860C3 |
تحقيق |
 |
BLF6G27-75,112 |
Ampleon USA Inc. |
RF FET LDMOS 65V SOT502A |
تحقيق |
|
PTFA211801EV5R0XTMA1 |
Infineon Technologies |
RF MOSFET LDMOS 28V H-36260-2 |
تحقيق |
 |
MRF177 |
M/A-Com Technology Solutions |
FET RF 2CH 65V 400MHZ 744A-01 |
تحقيق |
|
MRF6S23140HSR3 |
NXP USA Inc. |
FET RF 68V 2.39GHZ NI-880S |
تحقيق |
 |
BLF8G38LS-75VU |
Ampleon USA Inc. |
RF FET LDMOS 65V 15.5DB SOT1239B |
تحقيق |
|
BF1105R,215 |
NXP USA Inc. |
MOSFET N-CH 7V 30MA SOT-143R |
تحقيق |
 |
PD55035-E |
STMicroelectronics |
FET RF 40V 500MHZ PWRSO-10 |
تحقيق |
 |
BLF8G10LS-300PU |
Ampleon USA Inc. |
RF FET LDMOS 65V 20.5DB SOT539B |
تحقيق |
 |
BLF8G22LS-200GV,12 |
Ampleon USA Inc. |
RF FET LDMOS 65V 19DB SOT1244C |
تحقيق |
 |
VRF2933FL |
Microsemi Corporation |
MOSFET RF N-CH 170V 30MHZ T2 |
تحقيق |
 |
BLF175,112 |
Ampleon USA Inc. |
RF FET NCHA 125V 20DB SOT123A |
تحقيق |
 |
MRFE6S9135HR5 |
NXP USA Inc. |
FET RF 66V 940MHZ NI-880 |
تحقيق |
|
MRF19045LR3 |
NXP USA Inc. |
FET RF 65V 1.93GHZ NI-400 |
تحقيق |
 |
STAC2942BW |
STMicroelectronics |
TRANS RF PWR N-CH 350W STAC244B |
تحقيق |
|
MRF5S21130HSR5 |
NXP USA Inc. |
FET RF 65V 2.17GHZ NI-880S |
تحقيق |
 |
BF 5030R E6327 |
Infineon Technologies |
MOSFET N-CH 8V 25MA SOT143R |
تحقيق |
|
MRF6S18140HSR5 |
NXP USA Inc. |
FET RF 68V 1.88GHZ NI880S |
تحقيق |
 |
CGHV1F006S |
Cree/Wolfspeed |
FET RF 40V 6GHZ 12DFN |
تحقيق |
 |
CGH27015F |
Cree/Wolfspeed |
RF MOSFET HEMT 28V 440166 |
تحقيق |
|
PXFC191507FCV1R250XTMA1 |
Infineon Technologies |
IC AMP RF LDMOS |
تحقيق |
|
PD54003S-E |
STMicroelectronics |
TRANS RF N-CH FET POWERSO-10RF |
تحقيق |
 |
MRF5S19060NBR1 |
NXP USA Inc. |
FET RF 65V 1.99GHZ TO-272-4 |
تحقيق |
 |
MRFE6VP6300HR5 |
NXP USA Inc. |
FET RF 2CH 130V 230MHZ NI780-4 |
تحقيق |
 |
BLF6G22LS-75,118 |
Ampleon USA Inc. |
RF FET LDMOS 65V 18.7DB SOT502B |
تحقيق |
|
BLF7G24L-140,112 |
Ampleon USA Inc. |
RF FET LDMOS 65V 18.5DB SOT502A |
تحقيق |
 |
MRF6V2010NBR5 |
NXP USA Inc. |
FET RF 110V 220MHZ TO-272-2 |
تحقيق |
|
MRF6S24140HR5 |
NXP USA Inc. |
FET RF 68V 2.39GHZ NI-880 |
تحقيق |
 |
NE3508M04-A |
CEL |
FET RF 4V 2GHZ 4-TSMM |
تحقيق |
