يشترى BLP10H603Z مع BYCHPS
شراء مع ضمان
BLP10H603Z
- رقم القطعة:
- BLP10H603Z
- الصانع:
- Ampleon
- وصف:
- RF FET LDMOS 104V 22DB 12VDFN
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 17186 Pieces
- ورقة البيانات:
- BLP10H603Z.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل BLP10H603Z ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك BLP10H603Z عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| الجهد - اختبار: | 50V |
|---|---|
| الجهد - تقييمه: | 104V |
| نوع الترانزستور: | LDMOS |
| تجار الأجهزة حزمة: | 12-HVSON (5x6) |
| سلسلة: | - |
| مخرج قوي: | 2.5W |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | 12-VDFN Exposed Pad |
| اسماء اخرى: | 934068213515 |
| الضوضاء الشكل: | - |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 3 (168 Hours) |
| الصانع المهلة القياسية: | 13 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | BLP10H603Z |
| ربح: | 22.8dB |
| تردد: | 860MHz |
| وصف موسع: | RF Mosfet LDMOS 50V 15mA 860MHz 22.8dB 2.5W 12-HVSON (5x6) |
| وصف: | RF FET LDMOS 104V 22DB 12VDFN |
| التصويت الحالي: | - |
| الحالي - اختبار: | 15mA |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لBLP10H603Z
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
BLP10H610AZ | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 104V 22DB 12VDFN | تحقيق |
 |
BLP10H603AZ | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 104V 22DB 12VDFN | تحقيق |
|
BLP10H610Z | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 104V 22DB 12VDFN | تحقيق |
|
BLP10H605Z | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 104V 22DB 12VDFN | تحقيق |
 |
BG3130RH6327XTSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH DUAL 8V 25MA SOT363 | تحقيق |
 |
MRF160 | M/A-Com Technology Solutions | FET RF 65V 500MHZ 249-06 | تحقيق |
 |
MAGX-000912-500L00 | M/A-Com Technology Solutions | FETS RF GAN 500W 960-1215MHZ | تحقيق |
|
BLP10H605AZ | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 104V 22DB 12VDFN | تحقيق |
 |
VRF141G | Microsemi Corporation | RF PWR MOSFET 80V 40A DIE | تحقيق |
 |
MRFE6S9205HR3 | NXP USA Inc. | FET RF 66V 880MHZ NI-880 | تحقيق |
 |
2SK3079ATE12LQ | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSF RF N CH 10V PW-X | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog