يشترى BLF175,112 مع BYCHPS
شراء مع ضمان
BLF175,112
- رقم القطعة:
- BLF175,112
- الصانع:
- Ampleon
- وصف:
- RF FET NCHA 125V 20DB SOT123A
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 16026 Pieces
- ورقة البيانات:
- BLF175,112.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل BLF175,112 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك BLF175,112 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| الجهد - اختبار: | 50V |
|---|---|
| الجهد - تقييمه: | 125V |
| نوع الترانزستور: | N-Channel |
| تجار الأجهزة حزمة: | CRFM4 |
| سلسلة: | - |
| مخرج قوي: | 30W |
| التعبئة والتغليف: | Tray |
| حزمة / كيس: | SOT-123A |
| اسماء اخرى: | 568-2400 933939780112 BLF175 BLF175-ND |
| الضوضاء الشكل: | - |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع الجزء رقم: | BLF175,112 |
| ربح: | 20dB |
| تردد: | 108MHz |
| وصف موسع: | RF Mosfet N-Channel 50V 30mA 108MHz 20dB 30W CRFM4 |
| وصف: | RF FET NCHA 125V 20DB SOT123A |
| التصويت الحالي: | 4A |
| الحالي - اختبار: | 30mA |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لBLF175,112
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
PTFA212401E V4 R250 | Infineon Technologies | FET RF 65V 2.14GHZ H-36260-2 | تحقيق |
 |
BF1208D,115 | NXP USA Inc. | MOSFET N-CH DUAL GATE SOD666 | تحقيق |
 |
BLF177CR,112 | Ampleon USA Inc. | RF FET NCHA 125V SOT121B | تحقيق |
 |
BLF178XRS,112 | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 110V 28DB SOT539B | تحقيق |
 |
BLC8G27LS-160AVJ | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 14.3DB SOT12751 | تحقيق |
 |
BLF174XR,112 | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 110V 28DB SOT1214A | تحقيق |
 |
ATF-52189-TR2 | Broadcom Limited | FET RF 7V 2GHZ SOT-89 | تحقيق |
 |
BLC8G27LS-210PVY | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 17DB SOT12513 | تحقيق |
|
BLF177,112 | Ampleon USA Inc. | RF FET NCHA 125V 19DB SOT121B | تحقيق |
 |
BLF178P,112 | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 110V 28.5DB SOT539A | تحقيق |
 |
BLF6G38-10,112 | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 14DB SOT975B | تحقيق |
 |
BLF1721M8LS200U | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 19DB SOT502B | تحقيق |
 |
CE3521M4 | CEL | RF FET 4V 20GHZ SOT343 | تحقيق |
 |
BLF174XRS,112 | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 110V 28DB SOT1214B | تحقيق |
|
BLF178XR,112 | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 110V 28DB SOT539A | تحقيق |
 |
PD85035S-E | STMicroelectronics | FET RF 40V 870MHZ | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog