يشترى BF992,215 مع BYCHPS
شراء مع ضمان
BF992,215
- رقم القطعة:
- BF992,215
- وصف:
- MOSFET NCH DUAL GATE 20V SOT143B
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 15726 Pieces
- ورقة البيانات:
- BF992,215.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل BF992,215 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك BF992,215 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| الجهد - اختبار: | 10V |
|---|---|
| الجهد - تقييمه: | 20V |
| نوع الترانزستور: | N-Channel Dual Gate |
| تجار الأجهزة حزمة: | SOT-143B |
| سلسلة: | - |
| مخرج قوي: | - |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | TO-253-4, TO-253AA |
| اسماء اخرى: | 568-1971-2 933615000215 BF992 T/R |
| الضوضاء الشكل: | 1.2dB |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 13 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | BF992,215 |
| ربح: | - |
| تردد: | 200MHz |
| وصف موسع: | RF Mosfet N-Channel Dual Gate 10V 15mA 200MHz SOT-143B |
| وصف: | MOSFET NCH DUAL GATE 20V SOT143B |
| التصويت الحالي: | 40mA |
| الحالي - اختبار: | 15mA |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لBF992,215
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
PXAC201602FCV1R0XTMA1 | Infineon Technologies | IC AMP RF LDMOS H-37248-4 | تحقيق |
|
PTFA081501E1V4T500XWSA1 | Infineon Technologies | IC RF FET LDMOS H-36248-2 | تحقيق |
 |
MMRF1005HR5 | NXP USA Inc. | FET RF 120V 1.3GHZ NI-780 | تحقيق |
 |
BLF177CR,112 | Ampleon USA Inc. | RF FET NCHA 125V SOT121B | تحقيق |
 |
BF 5030R E6327 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 8V 25MA SOT143R | تحقيق |
 |
MW7IC2020NT1 | NXP USA Inc. | FET RF 65V 2.14GHZ 24PQFN | تحقيق |
 |
ON5274,115 | NXP USA Inc. | MOSFET RF SOT223 SC-73 | تحقيق |
 |
MRF9085LSR3 | NXP USA Inc. | FET RF 65V 880MHZ NI-780S | تحقيق |
 |
ON5204,127 | NXP USA Inc. | MOSFET RF SOT263 TO-220-5 | تحقيق |
 |
MMBFJ211 | Fairchild/ON Semiconductor | JFET N-CH 25V 20MA SOT23 | تحقيق |
 |
BLF8G22LS-205VU | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 18.3DB SOT1239B | تحقيق |
 |
MRF6V3090NBR5 | NXP USA Inc. | FET RF 110V 860MHZ TO272-4 | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI to reduce costs in Wireless business; OMAP™ processors and wireless connectivity solutions will focus on embedded markets
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers