BF992,215 - NXP USA Inc. - الترانزستورات - فيتس، موسيتس - رف BF992,215

BF992,215

رقم القطعة:: BF992,215

الصانع:: NXP Semiconductors / Freescale

وصف:: MOSFET NCH DUAL GATE 20V SOT143B

حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:: الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة

الكمية المتوفرة:: 15726 Pieces

ورقة البيانات:: BF992,215.pdf

تحقيق

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل BF992,215 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك BF992,215 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.

يشترى BF992,215 مع BYCHPS

شراء مع ضمان

مواصفات

الجهد - اختبار:	10V
الجهد - تقييمه:	20V
نوع الترانزستور:	N-Channel Dual Gate
تجار الأجهزة حزمة:	SOT-143B
سلسلة:	-
مخرج قوي:	-
التعبئة والتغليف:	Tape & Reel (TR)
حزمة / كيس:	TO-253-4, TO-253AA
اسماء اخرى:	568-1971-2 933615000215 BF992 T/R
الضوضاء الشكل:	1.2dB
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):	1 (Unlimited)
الصانع المهلة القياسية:	13 Weeks
الصانع الجزء رقم:	BF992,215
ربح:	-
تردد:	200MHz
وصف موسع:	RF Mosfet N-Channel Dual Gate 10V 15mA 200MHz SOT-143B
وصف:	MOSFET NCH DUAL GATE 20V SOT143B
التصويت الحالي:	40mA
الحالي - اختبار:	15mA
Email:	[email protected]

قطع الغيار ذات الصلة لBF992,215

رقم القطعة	مصنعين	وصف	رأي
PXAC201602FCV1R0XTMA1	Infineon Technologies	IC AMP RF LDMOS H-37248-4	تحقيق
PTFA081501E1V4T500XWSA1	Infineon Technologies	IC RF FET LDMOS H-36248-2	تحقيق
MMRF1005HR5	NXP USA Inc.	FET RF 120V 1.3GHZ NI-780	تحقيق
BLF177CR,112	Ampleon USA Inc.	RF FET NCHA 125V SOT121B	تحقيق
BF 5030R E6327	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 8V 25MA SOT143R	تحقيق
MW7IC2020NT1	NXP USA Inc.	FET RF 65V 2.14GHZ 24PQFN	تحقيق
ON5274,115	NXP USA Inc.	MOSFET RF SOT223 SC-73	تحقيق
MRF9085LSR3	NXP USA Inc.	FET RF 65V 880MHZ NI-780S	تحقيق
ON5204,127	NXP USA Inc.	MOSFET RF SOT263 TO-220-5	تحقيق
MMBFJ211	Fairchild/ON Semiconductor	JFET N-CH 25V 20MA SOT23	تحقيق
BLF8G22LS-205VU	Ampleon USA Inc.	RF FET LDMOS 65V 18.3DB SOT1239B	تحقيق
MRF6V3090NBR5	NXP USA Inc.	FET RF 110V 860MHZ TO272-4	تحقيق

المقدمة

مواصفات

سريع طلب اقتباس

Latest الأخبار