العربية
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Svenska✕
معلومات عنا | اتصل بنا | اطلب اقتباس |
الصفحة الرئيسية > منتجات > منتجات أشباه الموصلات المنفصلة > الترانزستورات - فيتس، موسيتس - رف > BLF278,112
BLF278,112
BLF278,112
رقم القطعة:
BLF278,112
الصانع:
Ampleon
وصف:
RF FET 2 NC 125V 22DB SOT262A1
حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
الكمية المتوفرة:
14609 Pieces
ورقة البيانات:
BLF278,112.pdf
تحقيق

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل BLF278,112 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك BLF278,112 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
يشترى BLF278,112 مع BYCHPS
شراء مع ضمان

مواصفات

الجهد - اختبار:50V
الجهد - تقييمه:125V
نوع الترانزستور:2 N-Channel (Dual) Common Source
تجار الأجهزة حزمة:CDFM4
سلسلة:-
مخرج قوي:300W
التعبئة والتغليف:Tray
حزمة / كيس:SOT-262A1
اسماء اخرى:568-2412
933978520112
BLF278
BLF278-ND
الضوضاء الشكل:-
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):1 (Unlimited)
الصانع الجزء رقم:BLF278,112
ربح:22dB
تردد:108MHz
وصف موسع:RF Mosfet 2 N-Channel (Dual) Common Source 50V 100mA 108MHz 22dB 300W CDFM4
وصف:RF FET 2 NC 125V 22DB SOT262A1
التصويت الحالي:18A
الحالي - اختبار:100mA
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات

قطع الغيار ذات الصلة لBLF278,112

صورة رقم القطعة مصنعين وصف رأي
MRF5S9150HSR3 Image MRF5S9150HSR3 NXP USA Inc. FET RF 68V 880MHZ NI-780 تحقيق
MRF9120LR5 NXP USA Inc. FET RF 65V 880MHZ NI-860 تحقيق
BLF278/01,112 Image BLF278/01,112 Ampleon USA Inc. RF FET 2 NC 125V 22DB SOT262A1 تحقيق
PTFA080551EV4T500XWSA1 Infineon Technologies IC FET RF LDMOS 55W H-36265-2 تحقيق
MRF1550NT1 Image MRF1550NT1 NXP USA Inc. FET RF 40V 175MHZ TO272-6 WRAP تحقيق
PTVA120251EAV2XWSA1 Image PTVA120251EAV2XWSA1 Infineon Technologies IC AMP RF LDMOS تحقيق
BLF8G20LS-400PVJ Image BLF8G20LS-400PVJ Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 65V 19DB SOT1242B تحقيق
BLF2425M7L100J Image BLF2425M7L100J Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 65V 18DB SOT502A تحقيق
PD55003TR-E Image PD55003TR-E STMicroelectronics FET RF 40V 500MHZ PWRSO-10 تحقيق
CLF1G0060-30U Image CLF1G0060-30U Ampleon USA Inc. RF FET HEMT 150V 13DB SOT1227A تحقيق
SLD-2083CZ Image SLD-2083CZ RFMD FET RF 35V 928MHZ RF083 تحقيق
MRFE6VP100HR5 Image MRFE6VP100HR5 NXP USA Inc. FET RF 2CH 133V 512MHZ NI780 تحقيق
3135GN-170M Microsemi Corporation FETS RF GAN 150V 3.1-3.5GHZ 55QP تحقيق

Latest الأخبار