يشترى MMRF2010GNR1 مع BYCHPS
شراء مع ضمان
MMRF2010GNR1
- رقم القطعة:
- MMRF2010GNR1
- وصف:
- INTEGRATED PWR AMP 1030-1090MHZ
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 13919 Pieces
- ورقة البيانات:
- MMRF2010GNR1.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل MMRF2010GNR1 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك MMRF2010GNR1 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| الجهد - اختبار: | 50V |
|---|---|
| الجهد - تقييمه: | 100V |
| نوع الترانزستور: | LDMOS |
| تجار الأجهزة حزمة: | TO-270 WB-14 GULL |
| سلسلة: | - |
| مخرج قوي: | 250W |
| التعبئة والتغليف: | Original-Reel® |
| حزمة / كيس: | TO-270-14 Variant, Gull Wing |
| اسماء اخرى: | MMRF2010GNR1DKR |
| الضوضاء الشكل: | - |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 3 (168 Hours) |
| الصانع المهلة القياسية: | 10 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | MMRF2010GNR1 |
| ربح: | 32.1dB |
| تردد: | 1.09GHz |
| وصف موسع: | RF Mosfet LDMOS 50V 80mA 1.09GHz 32.1dB 250W TO-270 WB-14 GULL |
| وصف: | INTEGRATED PWR AMP 1030-1090MHZ |
| التصويت الحالي: | - |
| الحالي - اختبار: | 80mA |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لMMRF2010GNR1
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
MMRF2010NR1 | NXP USA Inc. | TRANS RF LDMOS 250W 50V | تحقيق |
 |
MMRF2004NBR1 | NXP USA Inc. | FET RF 65V 2.7GHZ TO-272 | تحقيق |
 |
MMRF2005NR1 | NXP USA Inc. | FET RF 65V 940MHZ | تحقيق |
 |
ATF-541M4-BLK | Broadcom Limited | IC ENHANCED MOD SUDIOMORPHIC HEM | تحقيق |
 |
MMRF2007NR1 | NXP USA Inc. | FET RF 2CH 70V 940MHZ | تحقيق |
 |
MRFE6VP8600HSR6 | NXP USA Inc. | FET RF 2CH 130V 860MHZ NI1230S | تحقيق |
 |
PTFC262808SVV1R250XTMA1 | Infineon Technologies | IC AMP RF LDMOS | تحقيق |
 |
LET9045S | STMicroelectronics | TRANSISTOR RF POWER N-CH 80V 9A | تحقيق |
 |
MRFG35003NT1 | NXP USA Inc. | FET RF 15V 3.55GHZ 1.5-PLD | تحقيق |
 |
CGH40025F | Cree/Wolfspeed | FET RF 84V 6GHZ 440166 | تحقيق |
 |
BLF574XRS,112 | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 110V 23DB SOT1214B | تحقيق |
 |
IXZR18N50B-00 | IXYS | RF MOSFET N-CHANNEL PLUS247-3 | تحقيق |
 |
MRF6S19060NR1 | NXP USA Inc. | FET RF 68V 1.93GHZ TO270-4 | تحقيق |
|
AFT09S200W02GNR3 | NXP USA Inc. | FET RF 70V 960MHZ PLD | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog