يشترى MMRF2010NR1 مع BYCHPS
شراء مع ضمان
MMRF2010NR1
- رقم القطعة:
- MMRF2010NR1
- وصف:
- TRANS RF LDMOS 250W 50V
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 13136 Pieces
- ورقة البيانات:
- MMRF2010NR1.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل MMRF2010NR1 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك MMRF2010NR1 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| الجهد - اختبار: | 50V |
|---|---|
| الجهد - تقييمه: | 100V |
| نوع الترانزستور: | LDMOS |
| تجار الأجهزة حزمة: | TO-270 WB-14 GULL |
| سلسلة: | - |
| مخرج قوي: | 250W |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | TO-270-14 Variant, Flat Leads |
| اسماء اخرى: | 935316208528 MMRF2010NR1-ND |
| الضوضاء الشكل: | - |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 3 (168 Hours) |
| الصانع المهلة القياسية: | 10 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | MMRF2010NR1 |
| ربح: | 32.1dB |
| تردد: | 1.09GHz |
| وصف موسع: | RF Mosfet LDMOS 50V 80mA 1.09GHz 32.1dB 250W TO-270 WB-14 GULL |
| وصف: | TRANS RF LDMOS 250W 50V |
| التصويت الحالي: | 10µA |
| الحالي - اختبار: | 80mA |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لMMRF2010NR1
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
AFT20S015GNR1 | NXP USA Inc. | FET RF 65V 2.17GHZ TO270-2G | تحقيق |
 |
PD85006-E | STMicroelectronics | FET RF 40V 870MHZ PWRSO-10RF | تحقيق |
 |
MMRF2010GNR1 | NXP USA Inc. | INTEGRATED PWR AMP 1030-1090MHZ | تحقيق |
 |
BLF6G10-135RN,112 | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 21DB SOT502A | تحقيق |
 |
MMRF2005NR1 | NXP USA Inc. | FET RF 65V 940MHZ | تحقيق |
 |
MMRF2004NBR1 | NXP USA Inc. | FET RF 65V 2.7GHZ TO-272 | تحقيق |
 |
MMRF2007NR1 | NXP USA Inc. | FET RF 2CH 70V 940MHZ | تحقيق |
 |
PTF210451F V1 | Infineon Technologies | IC FET RF LDMOS 45W H-31265-2 | تحقيق |
 |
BLF6G05LS-200RN:11 | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 24DB SOT502B | تحقيق |
 |
MRF8P23080HR3 | NXP USA Inc. | FET RF 2CH 65V 2.3GHZ NI780-4 | تحقيق |
 |
BLC8G24LS-240AVJ | NXP USA Inc. | TRANS RF 240W 65V LDMOS SOT1252 | تحقيق |
 |
BLF8G19LS-170BVU | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 18DB SOT1120B | تحقيق |
 |
BLF8G09LS-400PWJ | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 20.6DB SOT1242B | تحقيق |
 |
BLF8G22LS-270V,112 | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 17.3DB SOT1244B | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog