يشترى MMRF2005NR1 مع BYCHPS
شراء مع ضمان
MMRF2005NR1
- رقم القطعة:
- MMRF2005NR1
- وصف:
- FET RF 65V 940MHZ
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 17480 Pieces
- ورقة البيانات:
- MMRF2005NR1.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل MMRF2005NR1 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك MMRF2005NR1 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| الجهد - اختبار: | 28V |
|---|---|
| الجهد - تقييمه: | 65V |
| نوع الترانزستور: | LDMOS |
| تجار الأجهزة حزمة: | TO-270 WBL-16 |
| سلسلة: | - |
| مخرج قوي: | 3.2W |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | TO-270-16 Variant, Flat Leads |
| اسماء اخرى: | 935324908528 |
| الضوضاء الشكل: | - |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 3 (168 Hours) |
| الصانع المهلة القياسية: | 10 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | MMRF2005NR1 |
| ربح: | 35.9dB |
| تردد: | 940MHz |
| وصف موسع: | RF Mosfet LDMOS 28V 106mA 940MHz 35.9dB 3.2W TO-270 WBL-16 |
| وصف: | FET RF 65V 940MHZ |
| التصويت الحالي: | - |
| الحالي - اختبار: | 106mA |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لMMRF2005NR1
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
BLF888AS,112 | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 110V 21DB SOT539B | تحقيق |
 |
MMRF2010NR1 | NXP USA Inc. | TRANS RF LDMOS 250W 50V | تحقيق |
 |
MRF6S21050LR5 | NXP USA Inc. | FET RF 68V 2.16GHZ NI-400 | تحقيق |
 |
BLF8G24LS-150GVJ | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 19DB SOT1244C | تحقيق |
 |
BLF6G10LS-160RN,11 | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 22.5DB SOT502B | تحقيق |
 |
MMRF2004NBR1 | NXP USA Inc. | FET RF 65V 2.7GHZ TO-272 | تحقيق |
 |
PTFB213004FV2R0XTMA1 | Infineon Technologies | IC AMP RF LDMOS H-37275-6 | تحقيق |
|
MMRF2007NR1 | NXP USA Inc. | FET RF 2CH 70V 940MHZ | تحقيق |
 |
MRF6S19140HR3 | NXP USA Inc. | FET RF 68V 1.99GHZ NI-880 | تحقيق |
 |
MMRF2010GNR1 | NXP USA Inc. | INTEGRATED PWR AMP 1030-1090MHZ | تحقيق |
|
BLC6G22LS-75,112 | NXP USA Inc. | FET RF LDMOS 28V 690MA SOT896B | تحقيق |
 |
BLL8H0514L-130U | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 100V 17DB SOT1135A | تحقيق |
 |
MRF373ALR1 | NXP USA Inc. | FET RF 70V 860MHZ NI-360 | تحقيق |
 |
ARF448BG | Microsemi Corporation | RF FET N CH 450V 15A TO247 | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog