يشترى IXZR18N50B-00 مع BYCHPS
شراء مع ضمان
IXZR18N50B-00
- رقم القطعة:
- IXZR18N50B-00
- الصانع:
- IXYS Corporation
- وصف:
- RF MOSFET N-CHANNEL PLUS247-3
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 17038 Pieces
- ورقة البيانات:
- IXZR18N50B-00.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل IXZR18N50B-00 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك IXZR18N50B-00 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| الجهد - اختبار: | - |
|---|---|
| الجهد - تقييمه: | 500V |
| نوع الترانزستور: | N-Channel |
| تجار الأجهزة حزمة: | PLUS247™-3 |
| سلسلة: | Z-MOS™ |
| مخرج قوي: | 350W |
| التعبئة والتغليف: | Tube |
| حزمة / كيس: | TO-247-3 |
| الضوضاء الشكل: | - |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 10 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | IXZR18N50B-00 |
| ربح: | - |
| تردد: | - |
| وصف موسع: | RF Mosfet N-Channel 350W PLUS247™-3 |
| وصف: | RF MOSFET N-CHANNEL PLUS247-3 |
| التصويت الحالي: | 1mA |
| الحالي - اختبار: | - |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لIXZR18N50B-00
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
ATF-541M4-BLK | Broadcom Limited | IC ENHANCED MOD SUDIOMORPHIC HEM | تحقيق |
 |
IXZR18N50A-00 | IXYS | RF MOSFET N-CHANNEL PLUS247-3 | تحقيق |
 |
VRF157FL | Microsemi Corporation | MOSFET RF PWR N-CH 50V 600W T2 | تحقيق |
 |
BF1102R,135 | NXP USA Inc. | FET RF 7V 800MHZ 6TSSOP | تحقيق |
|
IXZR16N60 | IXYS | RF MOSFET N-CHANNEL PLUS247-3 | تحقيق |
 |
BLF8G27LS-100U | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 17DB SOT502B | تحقيق |
|
IXZR18N50 | IXYS | RF MOSFET N-CHANNEL PLUS247-3 | تحقيق |
|
MRF6V2010GNR5 | NXP USA Inc. | FET RF 110V 220MHZ TO-270-2 | تحقيق |
 |
BLF8G24LS-150VU | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 19DB SOT1244B | تحقيق |
 |
BLA0912-250R,112 | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 75V 13DB SOT502A | تحقيق |
 |
MRFE6VP8600HSR6 | NXP USA Inc. | FET RF 2CH 130V 860MHZ NI1230S | تحقيق |
 |
MRF6VP3091NBR1 | NXP USA Inc. | FET RF 2CH 115V 860MHZ TO272-4 | تحقيق |
 |
MRF6S9125NR1 | NXP USA Inc. | FET RF 68V 880MHZ TO-270-4 | تحقيق |
 |
BLF2425M6L180P,118 | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 13.3DB SOT539A | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI to reduce costs in Wireless business; OMAP™ processors and wireless connectivity solutions will focus on embedded markets
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers