يشترى MMRF2004NBR1 مع BYCHPS
شراء مع ضمان
MMRF2004NBR1
- رقم القطعة:
- MMRF2004NBR1
- وصف:
- FET RF 65V 2.7GHZ TO-272
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 13814 Pieces
- ورقة البيانات:
- MMRF2004NBR1.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل MMRF2004NBR1 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك MMRF2004NBR1 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| الجهد - اختبار: | 28V |
|---|---|
| الجهد - تقييمه: | 65V |
| نوع الترانزستور: | LDMOS |
| تجار الأجهزة حزمة: | TO-272 WB-16 |
| سلسلة: | - |
| مخرج قوي: | 4W |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | TO-272-16 Variant, Flat Leads |
| اسماء اخرى: | 935320315528 |
| الضوضاء الشكل: | - |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 3 (168 Hours) |
| الصانع المهلة القياسية: | 10 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | MMRF2004NBR1 |
| ربح: | 28.5dB |
| تردد: | 2.7GHz |
| وصف موسع: | RF Mosfet LDMOS 28V 77mA 2.7GHz 28.5dB 4W TO-272 WB-16 |
| وصف: | FET RF 65V 2.7GHZ TO-272 |
| التصويت الحالي: | - |
| الحالي - اختبار: | 77mA |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لMMRF2004NBR1
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
MRF6V2150NBR1 | NXP USA Inc. | FET RF 110V 220MHZ TO-272-4 | تحقيق |
 |
MRF6VP121KHSR6 | NXP USA Inc. | FET RF 2CH 110V 1.03GHZ NI-1230S | تحقيق |
 |
MMRF2010GNR1 | NXP USA Inc. | INTEGRATED PWR AMP 1030-1090MHZ | تحقيق |
 |
PTFA260851E V1 | Infineon Technologies | FET RF 65V 2.68GHZ H-30248-2 | تحقيق |
 |
PXFC192207FHV3R250XTMA1 | Infineon Technologies | IC AMP RF LDMOS | تحقيق |
 |
MMRF2010NR1 | NXP USA Inc. | TRANS RF LDMOS 250W 50V | تحقيق |
 |
MMRF2005NR1 | NXP USA Inc. | FET RF 65V 940MHZ | تحقيق |
 |
BLP8G10S-45PY | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 20.8DB SOT12231 | تحقيق |
 |
MMRF2007NR1 | NXP USA Inc. | FET RF 2CH 70V 940MHZ | تحقيق |
 |
VRF151 | Microsemi Corporation | MOSFET RF PWR N-CH 50V 150W M174 | تحقيق |
 |
LET9060F | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 80V 12A M-250 | تحقيق |
 |
VRF2933 | Microsemi Corporation | MOSFET RF PWR N-CH 50V 300W M177 | تحقيق |
|
PTFA080551EV4R0XTMA1 | Infineon Technologies | RF MOSFET LDMOS 28V H-36265-2 | تحقيق |
 |
BLF7G27LS-90P,112 | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 18.5DB SOT1121B | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog