BLF1820-90,112 - NXP USA Inc. - الترانزستورات - فيتس، موسيتس - رف BLF1820-90,112

BLF1820-90,112

رقم القطعة:: BLF1820-90,112

الصانع:: NXP Semiconductors / Freescale

وصف:: TRANSISTOR RF LDMOS SOT502A

حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:: الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة

الكمية المتوفرة:: 17528 Pieces

ورقة البيانات:: BLF1820-90,112.pdf

تحقيق

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل BLF1820-90,112 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك BLF1820-90,112 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.

يشترى BLF1820-90,112 مع BYCHPS

شراء مع ضمان

مواصفات

الجهد - اختبار:	26V
الجهد - تقييمه:	65V
نوع الترانزستور:	LDMOS
تجار الأجهزة حزمة:	LDMOST
سلسلة:	-
مخرج قوي:	90W
التعبئة والتغليف:	Tube
حزمة / كيس:	SOT-502A
اسماء اخرى:	934056520112 BLF1820-90 BLF1820-90-ND
الضوضاء الشكل:	-
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):	1 (Unlimited)
الصانع الجزء رقم:	BLF1820-90,112
ربح:	11dB
تردد:	2GHz
وصف موسع:	RF Mosfet LDMOS 26V 750mA 2GHz 11dB 90W LDMOST
وصف:	TRANSISTOR RF LDMOS SOT502A
التصويت الحالي:	12A
الحالي - اختبار:	750mA
Email:	[email protected]

قطع الغيار ذات الصلة لBLF1820-90,112

رقم القطعة	مصنعين	وصف	رأي
PD55003S	STMicroelectronics	FET RF 40V 500MHZ PWRSO-10	تحقيق
BF1100WR,115	NXP USA Inc.	MOSFET N-CH 14V 30MA SOT343R	تحقيق
BLF6G27-10G,112	Ampleon USA Inc.	RF FET LDMOS 65V 19DB SOT975C	تحقيق
BLC9G20LS-120VY	Ampleon USA Inc.	RF FET LDMOS 65V 19.2DB SOT12753	تحقيق
ON5441,518	NXP USA Inc.	MOSFET RF 20SOIC	تحقيق
NE55410GR-T3-AZ	CEL	FET RF 65V 2.14GHZ 16-HTSSOP	تحقيق
PTFB211503ELV1R0XTMA1	Infineon Technologies	IC AMP RF LDMOS H-33288-6	تحقيق
PXAC261002FCV1XWSA1	Infineon Technologies	IC AMP RF LDMOS	تحقيق
BLF6H10LS-160,118	Ampleon USA Inc.	RF FET LDMOS 104V 20DB SOT467B	تحقيق
BLS6G2735LS-30,112	Ampleon USA Inc.	RF FET LDMOS 60V 13DB SOT1135B	تحقيق
MRF6S19100HSR5	NXP USA Inc.	FET RF 68V 1.99GHZ NI-780S	تحقيق
CGHV22100F	Cree/Wolfspeed	FET RF 125V 2.2GHZ 440162	تحقيق

المقدمة

مواصفات

سريع طلب اقتباس

Latest الأخبار