BLL6G1214LS-250,11 - Ampleon USA Inc. - الترانزستورات - فيتس، موسيتس - رف BLL6G1214LS-250,11

BLL6G1214LS-250,11

رقم القطعة:: BLL6G1214LS-250,11

الصانع:: Ampleon

وصف:: RF FET LDMOS 89V 15DB SOT502B

حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:: الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة

الكمية المتوفرة:: 13753 Pieces

ورقة البيانات:: BLL6G1214LS-250,11.pdf

تحقيق

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل BLL6G1214LS-250,11 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك BLL6G1214LS-250,11 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.

يشترى BLL6G1214LS-250,11 مع BYCHPS

شراء مع ضمان

مواصفات

الجهد - اختبار:	36V
الجهد - تقييمه:	89V
نوع الترانزستور:	LDMOS
تجار الأجهزة حزمة:	SOT502B
سلسلة:	-
مخرج قوي:	250W
التعبئة والتغليف:	Tray
حزمة / كيس:	SOT-502B
اسماء اخرى:	934066064112 BLL6G1214LS-25011
الضوضاء الشكل:	-
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):	1 (Unlimited)
الصانع الجزء رقم:	BLL6G1214LS-250,11
ربح:	15dB
تردد:	1.2GHz ~ 1.4GHz
وصف موسع:	RF Mosfet LDMOS 36V 150mA 1.2GHz ~ 1.4GHz 15dB 250W SOT502B
وصف:	RF FET LDMOS 89V 15DB SOT502B
التصويت الحالي:	-
الحالي - اختبار:	150mA
Email:	[email protected]

قطع الغيار ذات الصلة لBLL6G1214LS-250,11

رقم القطعة	مصنعين	وصف	رأي
MRF5S9101MBR1	NXP USA Inc.	FET RF 68V 960MHZ TO2724	تحقيق
BLL6G1214L-250,112	Ampleon USA Inc.	RF FET LDMOS 89V 15DB SOT502A	تحقيق
SD57060	STMicroelectronics	FET RF 65V 945MHZ M243	تحقيق
MMRF1314HSR5	NXP USA Inc.	TRANS RF FET 1.4GHZ 1000W 52V	تحقيق
BLF404,115	Ampleon USA Inc.	RF FET NCHA 40V 11.5DB SOT409A	تحقيق
MRF8P9040NBR1	NXP USA Inc.	FET RF 2CH 70V 960MHZ TO272-4	تحقيق
MRF6S19120HSR5	NXP USA Inc.	FET RF 68V 1.99GHZ NI-780S	تحقيق
A2T18S160W31GSR3	NXP USA Inc.	IC TRANS RF LDMOS	تحقيق
2N5246_J35Z	Fairchild/ON Semiconductor	JFET N-CH 30V 7MA TO92	تحقيق
BLS6G2933S-130,112	Ampleon USA Inc.	RF FET LDMOS 60V 12.5DB SOT9221	تحقيق

المقدمة

مواصفات

سريع طلب اقتباس

Latest الأخبار