يشترى MW6S010MR1 مع BYCHPS
شراء مع ضمان
MW6S010MR1
- رقم القطعة:
- MW6S010MR1
- وصف:
- FET RF 68V 960MHZ TO-270-2
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- يحتوي الرصاص / بنفايات غير متوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 12585 Pieces
- ورقة البيانات:
- MW6S010MR1.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل MW6S010MR1 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك MW6S010MR1 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| الجهد - اختبار: | 28V |
|---|---|
| الجهد - تقييمه: | 68V |
| نوع الترانزستور: | LDMOS |
| تجار الأجهزة حزمة: | TO-270-2 |
| سلسلة: | - |
| مخرج قوي: | 10W |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | TO-270-2 |
| الضوضاء الشكل: | - |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع الجزء رقم: | MW6S010MR1 |
| ربح: | 18dB |
| تردد: | 960MHz |
| وصف موسع: | RF Mosfet LDMOS 28V 125mA 960MHz 18dB 10W TO-270-2 |
| وصف: | FET RF 68V 960MHZ TO-270-2 |
| التصويت الحالي: | - |
| الحالي - اختبار: | 125mA |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لMW6S010MR1
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
MW6S010NR1 | NXP USA Inc. | FET RF 68V 960MHZ TO270-2 | تحقيق |
 |
AFT27S006NT1 | NXP USA Inc. | FET RF 65V 2.17GHZ PLD1.5W | تحقيق |
 |
BLF188XRGJ | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 135V 24DB SOT1248C | تحقيق |
 |
MW6S010GNR1 | NXP USA Inc. | FET RF 68V 960MHZ TO270-2GW | تحقيق |
|
MRF5S9070NR1 | NXP USA Inc. | FET RF 68V 880MHZ TO-270-2 | تحقيق |
 |
MRF6S24140HR3 | NXP USA Inc. | FET RF 68V 2.39GHZ NI-880 | تحقيق |
 |
PTFA210601EV4XWSA1 | Infineon Technologies | IC FET RF LDMOS 60W H-36265-2 | تحقيق |
 |
BF1215,115 | NXP USA Inc. | FET RF 6V 400MHZ 6TSSOP | تحقيق |
|
MW6S010GMR1 | NXP USA Inc. | FET RF 68V 960MHZ TO270-2GW | تحقيق |
 |
BLF8G24LS-100VJ | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 18DB SOT1244B | تحقيق |
 |
BLF6G20-230PRN,112 | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 17DB SOT539A | تحقيق |
 |
PXAC260622SCV1R250XTMA1 | Infineon Technologies | IC AMP RF LDMOS | تحقيق |
 |
MW6S004NT1 | NXP USA Inc. | FET RF 68V 1.96GHZ PLD-1.5 | تحقيق |
|
PTAB182002TCV2XWSA1 | Infineon Technologies | IC RF FET LDMOS 190W H-49248H-4 | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog