يشترى BLF988S,112 مع BYCHPS
شراء مع ضمان
BLF988S,112
- رقم القطعة:
- BLF988S,112
- الصانع:
- Ampleon
- وصف:
- RF FET LDMOS 110V 20.8DB SOT539B
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 18597 Pieces
- ورقة البيانات:
- BLF988S,112.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل BLF988S,112 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك BLF988S,112 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| الجهد - اختبار: | 50V |
|---|---|
| الجهد - تقييمه: | 110V |
| نوع الترانزستور: | LDMOS (Dual), Common Source |
| تجار الأجهزة حزمة: | LDMOST |
| سلسلة: | - |
| مخرج قوي: | 250W |
| التعبئة والتغليف: | Tube |
| حزمة / كيس: | SOT539B |
| اسماء اخرى: | 934066287112 |
| الضوضاء الشكل: | - |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 13 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | BLF988S,112 |
| ربح: | 20.8dB |
| تردد: | 860MHz |
| وصف موسع: | RF Mosfet LDMOS (Dual), Common Source 50V 1.3A 860MHz 20.8dB 250W LDMOST |
| وصف: | RF FET LDMOS 110V 20.8DB SOT539B |
| التصويت الحالي: | - |
| الحالي - اختبار: | 1.3A |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لBLF988S,112
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
MRFE6S9160HR3 | NXP USA Inc. | FET RF 66V 880MHZ NI-780 | تحقيق |
 |
BLF578XR,112 | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 110V 23.5DB SOT539A | تحقيق |
 |
BLF6G20-230P | NXP USA Inc. | IC BASESTATION FINAL SOT502A | تحقيق |
 |
MRF6V3090NR1 | NXP USA Inc. | FET RF 110V 860MHZ TO270-4 | تحقيق |
 |
BLP05H6150XRGY | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 135V 27DB SOT12242 | تحقيق |
 |
PTFA210701EV4XWSA1 | Infineon Technologies | IC FET RF LDMOS 70W H-36265-2 | تحقيق |
 |
PXAC261002FCV1R0XTMA1 | Infineon Technologies | IC AMP RF LDMOS H-37248-4 | تحقيق |
 |
MRFG35005NT1 | NXP USA Inc. | FET RF 15V 3.55GHZ 1.5PLD | تحقيق |
|
BLF988,112 | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 110V 20.8DB SOT539A | تحقيق |
|
MRF5S9101MR1 | NXP USA Inc. | FET RF 68V 960MHZ TO2704 | تحقيق |
|
A2T21H360-24SR6 | NXP USA Inc. | IC TRANS RF LDMOS | تحقيق |
 |
BLL8H1214L-250U | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 100V 17DB SOT502A | تحقيق |
 |
BF2040RE6814HTSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 8V 40MA SOT-143R | تحقيق |
|
MRF8S9202NR3 | NXP USA Inc. | FET RF 70V 920MHZ OM780-2 | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI to reduce costs in Wireless business; OMAP™ processors and wireless connectivity solutions will focus on embedded markets
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers