يشترى MRF6V3090NR1 مع BYCHPS
شراء مع ضمان
MRF6V3090NR1
- رقم القطعة:
- MRF6V3090NR1
- وصف:
- FET RF 110V 860MHZ TO270-4
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- خالية من الرصاص عن طريق الإعفاء / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 16276 Pieces
- ورقة البيانات:
- MRF6V3090NR1.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل MRF6V3090NR1 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك MRF6V3090NR1 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| الجهد - اختبار: | 50V |
|---|---|
| الجهد - تقييمه: | 110V |
| نوع الترانزستور: | LDMOS |
| تجار الأجهزة حزمة: | TO-270 WB-4 |
| سلسلة: | - |
| مخرج قوي: | 18W |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | TO-270AB |
| اسماء اخرى: | 935321513528 MRF6V3090NR1-ND MRF6V3090NR1TR |
| الضوضاء الشكل: | - |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 3 (168 Hours) |
| الصانع المهلة القياسية: | 10 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | MRF6V3090NR1 |
| ربح: | 22dB |
| تردد: | 860MHz |
| وصف موسع: | RF Mosfet LDMOS 50V 350mA 860MHz 22dB 18W TO-270 WB-4 |
| وصف: | FET RF 110V 860MHZ TO270-4 |
| التصويت الحالي: | - |
| الحالي - اختبار: | 350mA |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لMRF6V3090NR1
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
MRF6V12250HSR3 | NXP USA Inc. | FET RF 100V 1.03GHZ NI-780S | تحقيق |
 |
MRF6VP3091NR5 | NXP USA Inc. | FET RF 2CH 115V 860MHZ TO272-4 | تحقيق |
|
MRF6V3090NBR1 | NXP USA Inc. | FET RF 110V 860MHZ TO272-4 | تحقيق |
 |
MRF6V3090NR5 | NXP USA Inc. | FET RF 110V 860MHZ TO270-4 | تحقيق |
|
MRF6V3090NBR5 | NXP USA Inc. | FET RF 110V 860MHZ TO272-4 | تحقيق |
|
MRF6V12250HSR5 | NXP USA Inc. | FET RF 100V 1.03GHZ NI-780S | تحقيق |
 |
MRF6V2010NBR1 | NXP USA Inc. | FET RF 110V 220MHZ TO272-2 | تحقيق |
 |
MRF6VP21KHR6 | NXP USA Inc. | FET RF 2CH 110V 225MHZ NI1230 | تحقيق |
|
MRF6V2300NBR1 | NXP USA Inc. | FET RF 110V 220MHZ TO-272-4 | تحقيق |
|
MRF6VP2600HR5 | NXP USA Inc. | FET RF 2CH 110V 225MHZ NI-1230 | تحقيق |
|
MRF6V13250HSR3 | NXP USA Inc. | FET RF 120V 1.3GHZ NI780S | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog