2735GN-100M - Microsemi Corporation - الترانزستورات - فيتس، موسيتس - رف 2735GN-100M

2735GN-100M

رقم القطعة:: 2735GN-100M

الصانع:: Microsemi

وصف:: FETS RF GAN 150V 2.7-3.5GHZ 55QP

حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:: الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة

الكمية المتوفرة:: 15857 Pieces

ورقة البيانات:: 2735GN-100M.pdf

تحقيق

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل 2735GN-100M ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك 2735GN-100M عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.

يشترى 2735GN-100M مع BYCHPS

شراء مع ضمان

مواصفات

الجهد - اختبار:	60V
الجهد - تقييمه:	150V
نوع الترانزستور:	2 N-Channel (Dual) Common Source
تجار الأجهزة حزمة:	55QP
سلسلة:	-
مخرج قوي:	110W
التعبئة والتغليف:	Bulk
حزمة / كيس:	55QP
الضوضاء الشكل:	-
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):	1 (Unlimited)
الصانع الجزء رقم:	2735GN-100M
ربح:	11dB ~ 11.4dB
تردد:	2.7GHz ~ 3.5GHz
وصف موسع:	RF Mosfet 2 N-Channel (Dual) Common Source 60V 250mA 2.7GHz ~ 3.5GHz 11dB ~ 11.4dB 110W 55QP
وصف:	FETS RF GAN 150V 2.7-3.5GHZ 55QP
التصويت الحالي:	2.5mA
الحالي - اختبار:	250mA
Email:	[email protected]

قطع الغيار ذات الصلة ل2735GN-100M

رقم القطعة	مصنعين	وصف	رأي
NE5550279A-A	CEL	FET RF 30V 900MHZ 79A	تحقيق
NE3508M04-T2-A	CEL	FET RF 4V 2GHZ 4-TSMM	تحقيق
BF1202,215	NXP USA Inc.	MOSFET 2N-CH 10V 30MA SOT143B	تحقيق
MRF6S19200HSR3	NXP USA Inc.	FET RF 66V 1.99GHZ NI780S	تحقيق
ARF460AG	Microsemi Corporation	FET RF N-CH 500V 14A TO247	تحقيق
2735GN-35M	Microsemi Corporation	FETS RF GAN 150V 2.7-3.5GHZ 55QP	تحقيق
CLF1G0060-10U	Ampleon USA Inc.	RF FET HEMT 150V 14.5DB SOT1227A	تحقيق
BLF245B,112	Ampleon USA Inc.	RF FET 2 NC 65V 18DB SOT279A	تحقيق

المقدمة

مواصفات

سريع طلب اقتباس

Latest الأخبار