يشترى MRF282ZR1 مع BYCHPS
شراء مع ضمان
MRF282ZR1
- رقم القطعة:
- MRF282ZR1
- وصف:
- FET RF 65V 2GHZ NI-200Z
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 15991 Pieces
- ورقة البيانات:
- MRF282ZR1.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل MRF282ZR1 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك MRF282ZR1 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| الجهد - اختبار: | 26V |
|---|---|
| الجهد - تقييمه: | 65V |
| نوع الترانزستور: | LDMOS |
| تجار الأجهزة حزمة: | NI-200Z |
| سلسلة: | - |
| مخرج قوي: | 10W |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | NI-200Z |
| اسماء اخرى: | MRF282ZR1-ND MRF282ZR1TR |
| الضوضاء الشكل: | - |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع الجزء رقم: | MRF282ZR1 |
| ربح: | 11.5dB |
| تردد: | 2GHz |
| وصف موسع: | RF Mosfet LDMOS 26V 75mA 2GHz 11.5dB 10W NI-200Z |
| وصف: | FET RF 65V 2GHZ NI-200Z |
| التصويت الحالي: | - |
| الحالي - اختبار: | 75mA |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لMRF282ZR1
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
2N3819_D74Z | Fairchild/ON Semiconductor | JFET N-CH 25V 50MA TO92 | تحقيق |
 |
MRF5S9080NR1 | NXP USA Inc. | FET RF 65V 960MHZ TO-270-4 | تحقيق |
 |
MRF281SR1 | NXP USA Inc. | FET RF 65V 1.93GHZ NI-200S | تحقيق |
 |
J309_D27Z | Fairchild/ON Semiconductor | JFET N-CH 25V 30MA TO92 | تحقيق |
 |
PTFA092201EV4R250XTMA1 | Infineon Technologies | FET RF 65V 960MHZ H-36260-2 | تحقيق |
 |
BF 5020R E6327 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 8V 25MA SOT143-4 | تحقيق |
|
MRF281ZR1 | NXP USA Inc. | FET RF 65V 1.93GHZ NI-200Z | تحقيق |
|
MRF282SR1 | NXP USA Inc. | FET RF 65V 2GHZ NI-200S | تحقيق |
 |
STAC2942FW | STMicroelectronics | TRANS RF PWR N-CH 350W STAC244B | تحقيق |
 |
MRF7S21110HR5 | NXP USA Inc. | FET RF 65V 2.17GHZ NI-780 | تحقيق |
 |
PTFC261402FCV1R250XTMA1 | Infineon Technologies | IC AMP RF LDMOS | تحقيق |
|
2N5953 | Fairchild/ON Semiconductor | JFET N-CH 30V 5MA TO92 | تحقيق |
 |
ARF468BG | Microsemi Corporation | RF MOSFET (VDMOS) | تحقيق |
|
PTFA191001EV4R250XTMA1 | Infineon Technologies | IC FET RF LDMOS 100W H-36248-2 | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog