SI1926DL-T1-GE3
رقم القطعة:
SI1926DL-T1-GE3
الصانع:
Vishay / Siliconix
وصف:
MOSFET 2N-CH 60V 0.37A SOT363
حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
الكمية المتوفرة:
12474 Pieces
ورقة البيانات:
SI1926DL-T1-GE3.pdf

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل SI1926DL-T1-GE3 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك SI1926DL-T1-GE3 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
يشترى SI1926DL-T1-GE3 مع BYCHPS
شراء مع ضمان

مواصفات

VGS (ال) (ماكس) @ إيد:2.5V @ 250µA
تجار الأجهزة حزمة:SC-70-3 (SOT323)
سلسلة:TrenchFET®
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS:1.4 Ohm @ 340mA, 10V
السلطة - ماكس:510mW
التعبئة والتغليف:Tape & Reel (TR)
حزمة / كيس:6-TSSOP, SC-88, SOT-363
درجة حرارة التشغيل:-55°C ~ 150°C (TJ)
تصاعد نوع:Surface Mount
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):1 (Unlimited)
الصانع المهلة القياسية:15 Weeks
الصانع الجزء رقم:SI1926DL-T1-GE3
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس:18.5pF @ 30V
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس:1.4nC @ 10V
نوع FET:2 N-Channel (Dual)
FET الميزة:Logic Level Gate
وصف موسع:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 370mA 510mW Surface Mount SC-70-3 (SOT323)
استنزاف لجهد المصدر (Vdss):60V
وصف:MOSFET 2N-CH 60V 0.37A SOT363
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C:370mA
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات