يشترى DMN3008SFGQ-7 مع BYCHPS
شراء مع ضمان
DMN3008SFGQ-7
- رقم القطعة:
- DMN3008SFGQ-7
- الصانع:
- Diodes Incorporated
- وصف:
- MOSFET NCH 30V 17.6A POWERDI
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 16490 Pieces
- ورقة البيانات:
- DMN3008SFGQ-7.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل DMN3008SFGQ-7 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك DMN3008SFGQ-7 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 2.3V @ 250µA |
|---|---|
| تجار الأجهزة حزمة: | PowerDI3333-8 |
| سلسلة: | Automotive, AEC-Q101 |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 4.4 mOhm @ 13.5A, 10V |
| السلطة - ماكس: | 900mW |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | 8-PowerVDFN |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 16 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | DMN3008SFGQ-7 |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 3690pF @ 10V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 86nC @ 10V |
| نوع FET: | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET الميزة: | Standard |
| وصف موسع: | Mosfet Array MOSFET N-Channel, Metal Oxide 30V 17.6A (Ta), 62A (Tc) 900mW Surface Mount PowerDI3333-8 |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 30V |
| وصف: | MOSFET NCH 30V 17.6A POWERDI |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 17.6A (Ta), 62A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لDMN3008SFGQ-7
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
DMN3052LSS-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 30V 7.1A 8-SOIC | تحقيق |
 |
DMN3008SFGQ-13 | Diodes Incorporated | MOSFET NCH 30V 17.6A POWERDI | تحقيق |
 |
DMN3005LK3-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 30V 14.5A TO252-3L | تحقيق |
 |
DMN3024SFG-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 30V 7.5A PWRDI3333-8 | تحقيق |
|
DMN3007LSS-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 30V 16A 8-SOIC | تحقيق |
 |
DMN3016LPS-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 30V 10.8A PWRDI8 | تحقيق |
 |
DMN3016LDN-7 | Diodes Incorporated | MOSFET 2N-CH 30V 7.3A 8VDFN | تحقيق |
 |
DMN3042L-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 30V 5.8A SOT23 | تحقيق |
|
DMN3008SFG-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 30V 17.6A POWERDI | تحقيق |
|
DMN3008SFG-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 30V 17.6A POWERDI | تحقيق |
|
DMN3009SFG-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 30V 16A POWERDI333 | تحقيق |
|
DMN3009SFG-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 30V 16A POWERDI333 | تحقيق |
 |
DMN3016LFDE-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 30V 10A U-DFN2020-6 | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog