يشترى PTF080101S V1 مع BYCHPS
شراء مع ضمان
PTF080101S V1
- رقم القطعة:
- PTF080101S V1
- وصف:
- FET RF 65V 960MHZ H-32259-2
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 12161 Pieces
- ورقة البيانات:
- PTF080101S V1.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل PTF080101S V1 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك PTF080101S V1 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| الجهد - اختبار: | 28V |
|---|---|
| الجهد - تقييمه: | 65V |
| نوع الترانزستور: | LDMOS |
| تجار الأجهزة حزمة: | H-32259-2 |
| سلسلة: | GOLDMOS® |
| مخرج قوي: | 10W |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | H32259-2 |
| اسماء اخرى: | F080101SV1XT PTF080101SV1XT SP000018181 |
| الضوضاء الشكل: | - |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 3 (168 Hours) |
| الصانع الجزء رقم: | PTF080101S V1 |
| ربح: | 18.5dB |
| تردد: | 960MHz |
| وصف موسع: | RF Mosfet LDMOS 28V 150mA 960MHz 18.5dB 10W H-32259-2 |
| وصف: | FET RF 65V 960MHZ H-32259-2 |
| التصويت الحالي: | 1µA |
| الحالي - اختبار: | 150mA |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لPTF080101S V1
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
BLF8G22LS-205VU | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 18.3DB SOT1239B | تحقيق |
 |
BF992,215 | NXP USA Inc. | MOSFET NCH DUAL GATE 20V SOT143B | تحقيق |
 |
PTF080101M V1 | Infineon Technologies | IC FET RF LDMOS 10W TSSOP-10 | تحقيق |
 |
MRF6V3090NBR5 | NXP USA Inc. | FET RF 110V 860MHZ TO272-4 | تحقيق |
 |
MW7IC2020NT1 | NXP USA Inc. | FET RF 65V 2.14GHZ 24PQFN | تحقيق |
 |
MRF9085LSR3 | NXP USA Inc. | FET RF 65V 880MHZ NI-780S | تحقيق |
 |
MRF8P8300HR6 | NXP USA Inc. | FET RF 2CH 70V 820MHZ NI1230 | تحقيق |
 |
BF 5030R E6327 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 8V 25MA SOT143R | تحقيق |
 |
ON5204,127 | NXP USA Inc. | MOSFET RF SOT263 TO-220-5 | تحقيق |
 |
ON5274,115 | NXP USA Inc. | MOSFET RF SOT223 SC-73 | تحقيق |
 |
PXAC201602FCV1R0XTMA1 | Infineon Technologies | IC AMP RF LDMOS H-37248-4 | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI to reduce costs in Wireless business; OMAP™ processors and wireless connectivity solutions will focus on embedded markets
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers