يشترى PTF080101M V1 مع BYCHPS
شراء مع ضمان
PTF080101M V1
- رقم القطعة:
- PTF080101M V1
- وصف:
- IC FET RF LDMOS 10W TSSOP-10
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 18588 Pieces
- ورقة البيانات:
- PTF080101M V1.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل PTF080101M V1 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك PTF080101M V1 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| الجهد - اختبار: | 28V |
|---|---|
| الجهد - تقييمه: | 65V |
| نوع الترانزستور: | LDMOS |
| تجار الأجهزة حزمة: | PG-RFP-10 |
| سلسلة: | GOLDMOS® |
| مخرج قوي: | 10W |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | 10-TFSOP, 10-MSOP (0.118", 3.00mm Width) |
| اسماء اخرى: | PTF080101MV1XT SP000082763 |
| الضوضاء الشكل: | - |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 3 (168 Hours) |
| الصانع الجزء رقم: | PTF080101M V1 |
| ربح: | 16dB |
| تردد: | 960MHz |
| وصف موسع: | RF Mosfet LDMOS 28V 180mA 960MHz 16dB 10W PG-RFP-10 |
| وصف: | IC FET RF LDMOS 10W TSSOP-10 |
| التصويت الحالي: | 1µA |
| الحالي - اختبار: | 180mA |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لPTF080101M V1
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
MRF6S9160HR3 | NXP USA Inc. | FET RF 68V 880MHZ NI-780 | تحقيق |
 |
MRFE6VP5150GNR1 | NXP USA Inc. | FET RF 2CH 133V 230MHZ TO-270 GW | تحقيق |
 |
BLF542,112 | Ampleon USA Inc. | RF FET NCHA 65V 16DB SOT171A | تحقيق |
 |
MRF6VP11KHR6 | NXP USA Inc. | FET RF 2CH 110V 130MHZ NI-1230 | تحقيق |
 |
SD57060-10 | STMicroelectronics | FET RF 65V 945MHZ M243 | تحقيق |
 |
PTF080101S V1 | Infineon Technologies | FET RF 65V 960MHZ H-32259-2 | تحقيق |
 |
2SK3476(TE12L,Q) | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSF RF N CH 20V 3A PW-X | تحقيق |
|
PXAC261202FCV1XWSA1 | Infineon Technologies | FET RF 2CH 65V 2.61GHZ | تحقيق |
|
PXAC261212FCV1R0XTMA1 | Infineon Technologies | IC AMP RF LDMOS H-37248-4 | تحقيق |
 |
BLF6G38S-25,118 | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 15DB SOT608B | تحقيق |
 |
PTFA260851F V1 R250 | Infineon Technologies | IC FET RF LDMOS 85W H-31248-2 | تحقيق |
 |
PD57018S-E | STMicroelectronics | FET RF 65V 945MHZ PWRSO10 | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog