يشترى NE3517S03-T1C-A مع BYCHPS
شراء مع ضمان
NE3517S03-T1C-A
- رقم القطعة:
- NE3517S03-T1C-A
- وصف:
- FET RF 4V 20GHZ S03
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 15656 Pieces
- ورقة البيانات:
- NE3517S03-T1C-A.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل NE3517S03-T1C-A ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك NE3517S03-T1C-A عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| الجهد - اختبار: | 2V |
|---|---|
| الجهد - تقييمه: | 4V |
| نوع الترانزستور: | HFET |
| تجار الأجهزة حزمة: | S03 |
| سلسلة: | - |
| مخرج قوي: | - |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | 4-SMD, Flat Leads |
| الضوضاء الشكل: | 0.7dB |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع الجزء رقم: | NE3517S03-T1C-A |
| ربح: | 13.5dB |
| تردد: | 20GHz |
| وصف موسع: | RF Mosfet HFET 2V 10mA 20GHz 13.5dB S03 |
| وصف: | FET RF 4V 20GHZ S03 |
| التصويت الحالي: | 15mA |
| الحالي - اختبار: | 10mA |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لNE3517S03-T1C-A
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
NE3514S02-A | CEL | HJ-FET NCH 10DB S02 | تحقيق |
 |
GTVA261701FAV1R0XTMA1 | Infineon Technologies | GAN SIC | تحقيق |
|
NE3512S02-T1C-A | CEL | HJ-FET NCH 13.5DB S02 | تحقيق |
 |
NE3513M04-A | CEL | FET RF 4V 12GHZ M04 4SMD | تحقيق |
|
PTFB182503ELV1R0XTMA1 | Infineon Technologies | IC AMP RF LDMOS H-33288-6 | تحقيق |
|
PTFB192503ELV1R0XTMA1 | Infineon Technologies | IC AMP RF LDMOS H-33288-6 | تحقيق |
|
NE3511S02-A | CEL | HJ-FET NCH 13.5DB S02 | تحقيق |
|
NE3516S02-A | CEL | IC HJ-FET RF N-CH S02 4-MICROX | تحقيق |
|
NE3516S02-T1C-A | CEL | IC HJ-FET RF N-CH S02 4-MICROX | تحقيق |
|
NE3513M04-T2-A | CEL | FET RF 4V 12GHZ M04 4SMD | تحقيق |
 |
AFT05MS031GNR1 | NXP USA Inc. | FET RF 40V 520MHZ TO270-2G | تحقيق |
 |
NE3513M04-T2B-A | CEL | FET RF 4V 12GHZ M04 4SMD | تحقيق |
|
NE3510M04-A | CEL | FET RF 4V 4GHZ M04 | تحقيق |
|
NE3510M04-T2-A | CEL | FET RF 4V 4GHZ M04 | تحقيق |
|
NE3515S02-A | CEL | FET RF HFET 12GHZ 2V 10MA S02 | تحقيق |
|
NE3512S02-A | CEL | HJ-FET NCH 13.5DB S02 | تحقيق |
|
NE3515S02-T1C-A | CEL | FET RF HFET 12GHZ 2V 10MA S02 | تحقيق |
|
NE3511S02-T1C-A | CEL | IC AMP RF LNA 13.5DB S02 | تحقيق |
|
NE3515S02-T1D-A | CEL | FET RF HFET 12GHZ 2V 10MA S02 | تحقيق |
|
NE3514S02-T1C-A | CEL | HJ-FET NCH 10DB S02 | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog