يشترى GTVA261701FAV1R0XTMA1 مع BYCHPS
شراء مع ضمان
GTVA261701FAV1R0XTMA1
- رقم القطعة:
- GTVA261701FAV1R0XTMA1
- وصف:
- GAN SIC
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 12698 Pieces
- ورقة البيانات:
- GTVA261701FAV1R0XTMA1.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل GTVA261701FAV1R0XTMA1 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك GTVA261701FAV1R0XTMA1 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| سلسلة: | * |
|---|---|
| اسماء اخرى: | SP001369170 |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 3 (168 Hours) |
| الصانع المهلة القياسية: | 14 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | GTVA261701FAV1R0XTMA1 |
| وصف موسع: | RF Mosfet |
| وصف: | GAN SIC |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لGTVA261701FAV1R0XTMA1
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
GTVA261701FAV1R2XTMA1 | Infineon Technologies | GAN SIC | تحقيق |
 |
BLD6G21L-50,112 | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 14.5DB SOT1130A | تحقيق |
 |
SD56120C | STMicroelectronics | FET RF 72V 860MHZ M246 | تحقيق |
 |
MRF21045LR3 | NXP USA Inc. | FET RF 65V 2.17GHZ NI-400 | تحقيق |
|
GTVA220701FAV1R2XTMA1 | Infineon Technologies | GAN SIC | تحقيق |
|
AFT05MS031GNR1 | NXP USA Inc. | FET RF 40V 520MHZ TO270-2G | تحقيق |
 |
MRF7S19170HR3 | NXP USA Inc. | FET RF 65V 1.99GHZ NI-880 | تحقيق |
 |
BLF6G20-45,135 | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 19.2DB SOT608A | تحقيق |
 |
BLF10M6135U | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 21DB SOT502A | تحقيق |
 |
PD20010-E | STMicroelectronics | TRANS RF N-CH FET POWERSO-10RF | تحقيق |
|
PD85015TR-E | STMicroelectronics | TRANS RF N-CH FET POWERSO-10RF | تحقيق |
 |
MRF7S19080HR5 | NXP USA Inc. | FET RF 65V 1.99GHZ NI-780 | تحقيق |
|
PTFA080551FV4R0XTMA1 | Infineon Technologies | RF MOSFET LDMOS 28V H-37265-2 | تحقيق |
 |
SD2933-03W | STMicroelectronics | TRANS RF N-CH HF/VHF/UHF M177 | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog