العربية
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Svenska✕
معلومات عنا | اتصل بنا | اطلب اقتباس |
الصفحة الرئيسية > منتجات > منتجات أشباه الموصلات المنفصلة > الترانزستورات - فيتس، موسيتس - رف > MRF1535FNT1
MRF1535FNT1
MRF1535FNT1
رقم القطعة:
MRF1535FNT1
الصانع:
NXP Semiconductors / Freescale
وصف:
IC MOSFET RF N-CHAN TO272-6
حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
الكمية المتوفرة:
15506 Pieces
ورقة البيانات:
MRF1535FNT1.pdf
تحقيق

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل MRF1535FNT1 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك MRF1535FNT1 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
يشترى MRF1535FNT1 مع BYCHPS
شراء مع ضمان

مواصفات

الجهد - اختبار:12.5V
الجهد - تقييمه:40V
نوع الترانزستور:LDMOS
تجار الأجهزة حزمة:TO-272-6
سلسلة:-
مخرج قوي:35W
التعبئة والتغليف:Original-Reel®
حزمة / كيس:TO-272BA
اسماء اخرى:MRF1535FNT1DKR
الضوضاء الشكل:-
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):3 (168 Hours)
الصانع الجزء رقم:MRF1535FNT1
ربح:13.5dB
تردد:520MHz
وصف موسع:RF Mosfet LDMOS 12.5V 500mA 520MHz 13.5dB 35W TO-272-6
وصف:IC MOSFET RF N-CHAN TO272-6
التصويت الحالي:6A
الحالي - اختبار:500mA
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات

قطع الغيار ذات الصلة لMRF1535FNT1

صورة رقم القطعة مصنعين وصف رأي
MRF1517NT1 Image MRF1517NT1 NXP USA Inc. FET RF 25V 520MHZ PLD-1.5 تحقيق
AFT09S220-02NR3 NXP USA Inc. IC TRANS RF LDMOS تحقيق
MRF6V2300NR5 Image MRF6V2300NR5 NXP USA Inc. FET RF 110V 220MHZ TO-270-4 تحقيق
CLF1G0035S-100,112 Image CLF1G0035S-100,112 Ampleon USA Inc. RF FET HEMT 150V 12DB SOT467B تحقيق
MRF1570FNT1 Image MRF1570FNT1 NXP USA Inc. FET RF 40V 470MHZ TO272-8 تحقيق
MRF1550FNT1 Image MRF1550FNT1 NXP USA Inc. FET RF 40V 175MHZ TO272-6 تحقيق
MRF1511NT1 Image MRF1511NT1 NXP USA Inc. FET RF 40V 175MHZ PLD-1.5 تحقيق
MRF1518NT1 Image MRF1518NT1 NXP USA Inc. FET RF 40V 520MHZ PLD-1.5 تحقيق
BLF6G05LS-200RN,11 Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 65V 24DB SOT502B تحقيق
MRF1535NT1 Image MRF1535NT1 NXP USA Inc. FET RF 40V 520MHZ TO272-6 WRAP تحقيق
BF908R,235 Image BF908R,235 NXP USA Inc. MOSFET DUAL GATE 12V 40MA SOT143 تحقيق
MRF1513NT1 Image MRF1513NT1 NXP USA Inc. FET RF 40V 520MHZ PLD-1.5 تحقيق
MRF1550NT1 Image MRF1550NT1 NXP USA Inc. FET RF 40V 175MHZ TO272-6 WRAP تحقيق
MRF1570NT1 NXP USA Inc. FET RF 40V 470MHZ TO272-8 WRAP تحقيق
CGHV14800F Image CGHV14800F Cree/Wolfspeed 800-W 1200-1400-MHZ GAN HEMT تحقيق
PTFA091201HL V1 R250 Image PTFA091201HL V1 R250 Infineon Technologies IC FET RF LDMOS 120W PG-64248-2 تحقيق
CGHV22200F Image CGHV22200F Cree/Wolfspeed FET RF 125V 2.2GHZ 440162 تحقيق
MRF6P27160HR6 Image MRF6P27160HR6 NXP USA Inc. FET RF 68V 2.66GHZ NI-1230 تحقيق

Latest الأخبار