يشترى CGHV14800F مع BYCHPS
شراء مع ضمان
CGHV14800F
- رقم القطعة:
- CGHV14800F
- الصانع:
- Cree
- وصف:
- 800-W 1200-1400-MHZ GAN HEMT
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 12822 Pieces
- ورقة البيانات:
- CGHV14800F.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل CGHV14800F ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك CGHV14800F عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| الجهد - اختبار: | 50V |
|---|---|
| الجهد - تقييمه: | 125V |
| نوع الترانزستور: | HEMT |
| تجار الأجهزة حزمة: | 440117 |
| سلسلة: | GaN |
| مخرج قوي: | 900W |
| التعبئة والتغليف: | Bulk |
| حزمة / كيس: | 440117 |
| الضوضاء الشكل: | - |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع الجزء رقم: | CGHV14800F |
| ربح: | 14.5dB |
| تردد: | 1.4GHz |
| وصف موسع: | RF Mosfet HEMT 50V 800mA 1.4GHz 14.5dB 900W 440117 |
| وصف: | 800-W 1200-1400-MHZ GAN HEMT |
| التصويت الحالي: | 24A |
| الحالي - اختبار: | 800mA |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لCGHV14800F
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
CGHV14250F | Cree/Wolfspeed | FET RF 125V 1.4GHZ 440162 | تحقيق |
 |
BF908R,235 | NXP USA Inc. | MOSFET DUAL GATE 12V 40MA SOT143 | تحقيق |
 |
MRF6V2300NR5 | NXP USA Inc. | FET RF 110V 220MHZ TO-270-4 | تحقيق |
 |
CGHV22200F | Cree/Wolfspeed | FET RF 125V 2.2GHZ 440162 | تحقيق |
 |
AFT09S220-02NR3 | NXP USA Inc. | IC TRANS RF LDMOS | تحقيق |
 |
CGHV1J070D | Cree/Wolfspeed | RF MOSFET HEMT 40V DIE | تحقيق |
 |
PTVA123501ECV2R0XTMA1 | Infineon Technologies | IC AMP RF LDMOS H-36248-2 | تحقيق |
 |
CGHV1F025S | Cree/Wolfspeed | FET RF 100V 6GHZ 12DFN | تحقيق |
 |
BF256AG | ON Semiconductor | JFET N-CH 30V 7MA TO92 | تحقيق |
 |
CGHV14500F | Cree/Wolfspeed | FET RF 125V 1.4GHZ 440117 | تحقيق |
 |
CGHV1J025D | Cree/Wolfspeed | RF MOSFET HEMT 40V DIE | تحقيق |
 |
CGHV1J006D | Cree/Wolfspeed | RF MOSFET HEMT 40V DIE | تحقيق |
 |
CGHV1F006S | Cree/Wolfspeed | FET RF 40V 6GHZ 12DFN | تحقيق |
 |
BLF6G05LS-200RN,11 | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 24DB SOT502B | تحقيق |
 |
MRF6P27160HR6 | NXP USA Inc. | FET RF 68V 2.66GHZ NI-1230 | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog