يشترى MRF1570FNT1 مع BYCHPS
شراء مع ضمان
MRF1570FNT1
- رقم القطعة:
- MRF1570FNT1
- وصف:
- FET RF 40V 470MHZ TO272-8
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- خالية من الرصاص عن طريق الإعفاء / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 13744 Pieces
- ورقة البيانات:
- MRF1570FNT1.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل MRF1570FNT1 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك MRF1570FNT1 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| الجهد - اختبار: | 12.5V |
|---|---|
| الجهد - تقييمه: | 40V |
| نوع الترانزستور: | LDMOS |
| تجار الأجهزة حزمة: | TO-272-8 Flat Lead |
| سلسلة: | - |
| مخرج قوي: | 70W |
| التعبئة والتغليف: | Original-Reel® |
| حزمة / كيس: | TO-272-8 |
| اسماء اخرى: | MRF1570FNT1DKR |
| الضوضاء الشكل: | - |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 3 (168 Hours) |
| الصانع الجزء رقم: | MRF1570FNT1 |
| ربح: | 11.5dB |
| تردد: | 470MHz |
| وصف موسع: | RF Mosfet LDMOS 12.5V 800mA 470MHz 11.5dB 70W TO-272-8 Flat Lead |
| وصف: | FET RF 40V 470MHZ TO272-8 |
| التصويت الحالي: | - |
| الحالي - اختبار: | 800mA |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لMRF1570FNT1
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
PTVA120251EAV2R0XTMA1 | Infineon Technologies | IC AMP RF LDMOS H-36265-2 | تحقيق |
 |
MMRF1005HSR5 | NXP USA Inc. | FET RF 120V 1.3GHZ NI-780S | تحقيق |
 |
MRF1535NT1 | NXP USA Inc. | FET RF 40V 520MHZ TO272-6 WRAP | تحقيق |
 |
MRFE6VP61K25HSR5 | NXP USA Inc. | FET RF 2CH 133V 230MHZ NI-1230S | تحقيق |
|
MRF1570NT1 | NXP USA Inc. | FET RF 40V 470MHZ TO272-8 WRAP | تحقيق |
 |
MMRF1015NR1 | NXP USA Inc. | FET RF 68V 960MHZ TO270 | تحقيق |
 |
MRF1517NT1 | NXP USA Inc. | FET RF 25V 520MHZ PLD-1.5 | تحقيق |
 |
MRF1550FNT1 | NXP USA Inc. | FET RF 40V 175MHZ TO272-6 | تحقيق |
|
MRF1511NT1 | NXP USA Inc. | FET RF 40V 175MHZ PLD-1.5 | تحقيق |
 |
ATF-54143-TR1 | Broadcom Limited | FET RF 5V 2GHZ SOT-343 | تحقيق |
|
MRF1550NT1 | NXP USA Inc. | FET RF 40V 175MHZ TO272-6 WRAP | تحقيق |
 |
BF256B_J35Z | Fairchild/ON Semiconductor | JFET N-CH 30V 13MA TO92 | تحقيق |
|
MRF1513NT1 | NXP USA Inc. | FET RF 40V 520MHZ PLD-1.5 | تحقيق |
|
MRF1535FNT1 | NXP USA Inc. | IC MOSFET RF N-CHAN TO272-6 | تحقيق |
 |
BLF3G22-30,112 | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 14DB SOT608A | تحقيق |
|
MRF8S26120HSR5 | NXP USA Inc. | FET RF 65V 2.69GHZ NI780S | تحقيق |
|
MRF9002NR2 | NXP USA Inc. | FET RF 65V 960MHZ 16-PFP | تحقيق |
|
MRF1518NT1 | NXP USA Inc. | FET RF 40V 520MHZ PLD-1.5 | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog