IXTT6N120
IXTT6N120
رقم القطعة:
IXTT6N120
الصانع:
IXYS Corporation
وصف:
MOSFET N-CH 1200V 6A TO-268
حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
الكمية المتوفرة:
17492 Pieces
ورقة البيانات:
IXTT6N120.pdf

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل IXTT6N120 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك IXTT6N120 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
يشترى IXTT6N120 مع BYCHPS
شراء مع ضمان

مواصفات

VGS (ال) (ماكس) @ إيد:5V @ 250µA
تكنولوجيا:MOSFET (Metal Oxide)
تجار الأجهزة حزمة:TO-268
سلسلة:-
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS:2.6 Ohm @ 3A, 10V
تبديد الطاقة (ماكس):300W (Tc)
التعبئة والتغليف:Tube
حزمة / كيس:TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
درجة حرارة التشغيل:-55°C ~ 150°C (TJ)
تصاعد نوع:Surface Mount
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):1 (Unlimited)
الصانع المهلة القياسية:10 Weeks
الصانع الجزء رقم:IXTT6N120
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس:1950pF @ 25V
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس:56nC @ 10V
نوع FET:N-Channel
FET الميزة:-
وصف موسع:N-Channel 1200V (1.2kV) 6A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount TO-268
استنزاف لجهد المصدر (Vdss):1200V (1.2kV)
وصف:MOSFET N-CH 1200V 6A TO-268
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C:6A (Tc)
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات