يشترى IXTT68P20T مع BYCHPS
شراء مع ضمان
IXTT68P20T
- رقم القطعة:
- IXTT68P20T
- الصانع:
- IXYS Corporation
- وصف:
- MOSFET P-CH 200V 68A TO-268
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 13236 Pieces
- ورقة البيانات:
- IXTT68P20T.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل IXTT68P20T ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك IXTT68P20T عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 4V @ 250µA |
|---|---|
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | TO-268 |
| سلسلة: | TrenchP™ |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 55 mOhm @ 34A, 10V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 568W (Tc) |
| التعبئة والتغليف: | Tube |
| حزمة / كيس: | TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 18 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | IXTT68P20T |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 33400pF @ 25V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 380nC @ 10V |
| نوع FET: | P-Channel |
| FET الميزة: | - |
| وصف موسع: | P-Channel 200V 68A (Tc) 568W (Tc) Surface Mount TO-268 |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 200V |
| وصف: | MOSFET P-CH 200V 68A TO-268 |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 68A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لIXTT68P20T
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
SI2318DS-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 40V 3A SOT23-3 | تحقيق |
 |
IXTT69N30P | IXYS | MOSFET N-CH 300V 69A TO-268 | تحقيق |
|
IXTT60N20L2 | IXYS | MOSFET N-CH 200V 60A TO268 | تحقيق |
 |
IRFS4310TRLPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 130A D2PAK | تحقيق |
 |
STP5N120 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 1200V 4.4A TO-220 | تحقيق |
|
IXTT64N25P | IXYS | MOSFET N-CH 250V 64A TO-268 | تحقيق |
 |
FDS7288N3 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 20A 8-SOIC | تحقيق |
 |
PMPB13XNE,115 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 30V 8A 6DFN | تحقيق |
 |
FCB290N80 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 800V 17A D2PAK | تحقيق |
|
SI9407BDY-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 60V 4.7A 8-SOIC | تحقيق |
 |
NTD4970NT4G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 38A DPAK | تحقيق |
|
IXTT60N10 | IXYS | MOSFET N-CH 100V 60A TO-268 | تحقيق |
|
IXTT6N120 | IXYS | MOSFET N-CH 1200V 6A TO-268 | تحقيق |
 |
TN2504N8-G | Microchip Technology | MOSFET N-CH 40V 0.89A SOT89-3 | تحقيق |
 |
CSD13302W | Texas Instruments | MOSFET N-CH 12V 1.6A | تحقيق |
 |
IPU60R3K4CEAKMA1 | Infineon Technologies | CONSUMER | تحقيق |
 |
IRF8304MTRPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 28A MX | تحقيق |
|
SI2347DS-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 30V 5A SOT-23 | تحقيق |
 |
FQA28N15 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 150V 33A TO-3P | تحقيق |
 |
R6010ANX | Rohm Semiconductor | MOSFET N-CH 600V 10A TO-220FM | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog