يشترى IXTT60N10 مع BYCHPS
شراء مع ضمان
IXTT60N10
- رقم القطعة:
- IXTT60N10
- الصانع:
- IXYS Corporation
- وصف:
- MOSFET N-CH 100V 60A TO-268
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 15150 Pieces
- ورقة البيانات:
- IXTT60N10.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل IXTT60N10 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك IXTT60N10 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 4V @ 250µA |
|---|---|
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | TO-268 |
| سلسلة: | - |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 20 mOhm @ 30A, 10V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 300W (Tc) |
| التعبئة والتغليف: | Tube |
| حزمة / كيس: | TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع الجزء رقم: | IXTT60N10 |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 3200pF @ 25V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 110nC @ 10V |
| نوع FET: | N-Channel |
| FET الميزة: | - |
| وصف موسع: | N-Channel 100V 60A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount TO-268 |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 100V |
| وصف: | MOSFET N-CH 100V 60A TO-268 |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 60A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لIXTT60N10
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
FQD17P06TM | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET P-CH 60V 12A DPAK | تحقيق |
 |
IPP25N06S325XK | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 25A TO-220 | تحقيق |
 |
IXTT64N25P | IXYS | MOSFET N-CH 250V 64A TO-268 | تحقيق |
|
IXTT69N30P | IXYS | MOSFET N-CH 300V 69A TO-268 | تحقيق |
 |
DMTH4007LPSQ-13 | Diodes Incorporated | MOSFET NCH 40V 15.5A POWERDI | تحقيق |
 |
IRFR5305CPBF | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 55V 31A DPAK | تحقيق |
|
IXTT6N120 | IXYS | MOSFET N-CH 1200V 6A TO-268 | تحقيق |
 |
SI2302ADS-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 20V 2.1A SOT23-3 | تحقيق |
 |
SPI80N06S2-08 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 80A I2PAK | تحقيق |
 |
DMN10H170SFDE-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 100V 2.9A 6UDFN | تحقيق |
 |
SIB441EDK-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 12V 9A PPAK SC75-6L | تحقيق |
 |
STF23N80K5 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 800V 16A | تحقيق |
 |
IRLI630G | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 200V 6.2A TO220FP | تحقيق |
 |
BUK7Y08-40B,115 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 40V 75A LFPAK | تحقيق |
|
IXTT60N20L2 | IXYS | MOSFET N-CH 200V 60A TO268 | تحقيق |
|
IXTT68P20T | IXYS | MOSFET P-CH 200V 68A TO-268 | تحقيق |
 |
SIR406DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 25V 40A PPAK SO-8 | تحقيق |
 |
FDS7764S | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 13.5A 8SOIC | تحقيق |
|
STF17NF25 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 250V 17A TO-220FP | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog