يشترى IXFN20N120 مع BYCHPS
شراء مع ضمان
IXFN20N120
- رقم القطعة:
- IXFN20N120
- الصانع:
- IXYS Corporation
- وصف:
- MOSFET N-CH 1200V 20A SOT-227B
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 17442 Pieces
- ورقة البيانات:
- IXFN20N120.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل IXFN20N120 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك IXFN20N120 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 4.5V @ 8mA |
|---|---|
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | SOT-227B |
| سلسلة: | HiPerFET™ |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 750 mOhm @ 500mA, 10V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 780W (Tc) |
| التعبئة والتغليف: | Tube |
| حزمة / كيس: | SOT-227-4, miniBLOC |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Chassis Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 8 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | IXFN20N120 |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 7400pF @ 25V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 160nC @ 10V |
| نوع FET: | N-Channel |
| FET الميزة: | - |
| وصف موسع: | N-Channel 1200V (1.2kV) 20A 780W (Tc) Chassis Mount SOT-227B |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 1200V (1.2kV) |
| وصف: | MOSFET N-CH 1200V 20A SOT-227B |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 20A |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لIXFN20N120
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
IXFN200N10P | IXYS | MOSFET N-CH 100V 200A SOT-227B | تحقيق |
|
IXFN280N085 | IXYS | MOSFET N-CH 85V 280A SOT-227B | تحقيق |
|
IXFN200N07 | IXYS | MOSFET N-CH 70V 200A SOT-227B | تحقيق |
|
IXFN240N15T2 | IXYS | MOSFET N-CH 150V 240A SOT227 | تحقيق |
|
IXFN26N120P | IXYS | MOSFET N-CH 1200V 23A SOT-227B | تحقيق |
|
IXFN24N100 | IXYS | MOSFET N-CH 1KV 24A SOT-227B | تحقيق |
|
IXFN24N100F | IXYS | MOSFET N-CH 1KV 24A SOT227B | تحقيق |
|
IXFN26N90 | IXYS | MOSFET N-CH 900V 26A SOT-227B | تحقيق |
|
IXFN20N120P | IXYS | MOSFET N-CH 1200V 20A SOT-227B | تحقيق |
|
IXFN230N10 | IXYS | MOSFET N-CH 100V 230A SOT-227B | تحقيق |
|
IXFN210N30P3 | IXYS | MOSFET N-CH 300V 192A SOT-227 | تحقيق |
|
IXFN280N07 | IXYS | MOSFET N-CH 70V 280A SOT-227B | تحقيق |
|
IXFN210N20P | IXYS | MOSFET N-CH 200V 188A SOT-227B | تحقيق |
|
IXFN24N90Q | IXYS | MOSFET N-CH 900V 24A SOT-227B | تحقيق |
|
IXFN21N100Q | IXYS | MOSFET N-CH 1000V 21A SOT-227B | تحقيق |
|
IXFN260N17T | IXYS | MOSFET N-CH 170V 245A SOT-227 | تحقيق |
|
IXFN230N20T | IXYS | MOSFET N-CH 200V 220A SOT-227 | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI to reduce costs in Wireless business; OMAP™ processors and wireless connectivity solutions will focus on embedded markets
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers