يشترى IXFN210N30P3 مع BYCHPS
شراء مع ضمان
IXFN210N30P3
- رقم القطعة:
- IXFN210N30P3
- الصانع:
- IXYS Corporation
- وصف:
- MOSFET N-CH 300V 192A SOT-227
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 13275 Pieces
- ورقة البيانات:
- IXFN210N30P3.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل IXFN210N30P3 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك IXFN210N30P3 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 5V @ 8mA |
|---|---|
| فغس (ماكس): | ±20V |
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | SOT-227B |
| سلسلة: | HiPerFET™, Polar3™ |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 14.5 mOhm @ 105A, 10V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 1500W (Tc) |
| التعبئة والتغليف: | Tube |
| حزمة / كيس: | SOT-227-4, miniBLOC |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Chassis Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 12 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | IXFN210N30P3 |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 16200pF @ 25V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 268nC @ 10V |
| نوع FET: | N-Channel |
| FET الميزة: | - |
| وصف موسع: | N-Channel 300V 192A (Tc) 1500W (Tc) Chassis Mount SOT-227B |
| محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على): | 10V |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 300V |
| وصف: | MOSFET N-CH 300V 192A SOT-227 |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 192A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لIXFN210N30P3
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
IXFN20N120P | IXYS | MOSFET N-CH 1200V 20A SOT-227B | تحقيق |
|
IXFN210N20P | IXYS | MOSFET N-CH 200V 188A SOT-227B | تحقيق |
|
IXFN280N07 | IXYS | MOSFET N-CH 70V 280A SOT-227B | تحقيق |
|
IXFN24N100 | IXYS | MOSFET N-CH 1KV 24A SOT-227B | تحقيق |
|
IXFN240N15T2 | IXYS | MOSFET N-CH 150V 240A SOT227 | تحقيق |
|
IXFN230N20T | IXYS | MOSFET N-CH 200V 220A SOT-227 | تحقيق |
|
IXFN230N10 | IXYS | MOSFET N-CH 100V 230A SOT-227B | تحقيق |
|
IXFN26N120P | IXYS | MOSFET N-CH 1200V 23A SOT-227B | تحقيق |
|
IXFN26N90 | IXYS | MOSFET N-CH 900V 26A SOT-227B | تحقيق |
|
IXFN21N100Q | IXYS | MOSFET N-CH 1000V 21A SOT-227B | تحقيق |
|
IXFN24N100F | IXYS | MOSFET N-CH 1KV 24A SOT227B | تحقيق |
|
IXFN24N90Q | IXYS | MOSFET N-CH 900V 24A SOT-227B | تحقيق |
|
IXFN27N80Q | IXYS | MOSFET N-CH 800V 27A SOT-227B | تحقيق |
|
IXFN20N120 | IXYS | MOSFET N-CH 1200V 20A SOT-227B | تحقيق |
|
IXFN280N085 | IXYS | MOSFET N-CH 85V 280A SOT-227B | تحقيق |
|
IXFN27N80 | IXYS | MOSFET N-CH 800V 27A SOT-227B | تحقيق |
|
IXFN260N17T | IXYS | MOSFET N-CH 170V 245A SOT-227 | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI to reduce costs in Wireless business; OMAP™ processors and wireless connectivity solutions will focus on embedded markets
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers