العربية
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Svenska✕
معلومات عنا | اتصل بنا | اطلب اقتباس |
الصفحة الرئيسية > منتجات > منتجات أشباه الموصلات المنفصلة > الترانزستورات - فيتس، موسيتس - واحدة > IXFN200N10P
IXFN200N10P
IXFN200N10P
رقم القطعة:
IXFN200N10P
الصانع:
IXYS Corporation
وصف:
MOSFET N-CH 100V 200A SOT-227B
حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
الكمية المتوفرة:
17747 Pieces
ورقة البيانات:
IXFN200N10P.pdf
تحقيق

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل IXFN200N10P ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك IXFN200N10P عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
يشترى IXFN200N10P مع BYCHPS
شراء مع ضمان

مواصفات

VGS (ال) (ماكس) @ إيد:5V @ 8mA
تكنولوجيا:MOSFET (Metal Oxide)
تجار الأجهزة حزمة:SOT-227B
سلسلة:Polar™
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS:7.5 mOhm @ 500mA, 10V
تبديد الطاقة (ماكس):680W (Tc)
التعبئة والتغليف:Tube
حزمة / كيس:SOT-227-4, miniBLOC
درجة حرارة التشغيل:-55°C ~ 175°C (TJ)
تصاعد نوع:Chassis Mount
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):1 (Unlimited)
الصانع المهلة القياسية:8 Weeks
الصانع الجزء رقم:IXFN200N10P
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس:7600pF @ 25V
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس:235nC @ 10V
نوع FET:N-Channel
FET الميزة:-
وصف موسع:N-Channel 100V 200A 680W (Tc) Chassis Mount SOT-227B
استنزاف لجهد المصدر (Vdss):100V
وصف:MOSFET N-CH 100V 200A SOT-227B
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C:200A
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات

قطع الغيار ذات الصلة لIXFN200N10P

صورة رقم القطعة مصنعين وصف رأي
IXFN200N07 Image IXFN200N07 IXYS MOSFET N-CH 70V 200A SOT-227B تحقيق
IXFN210N30P3 Image IXFN210N30P3 IXYS MOSFET N-CH 300V 192A SOT-227 تحقيق
IXFN26N120P Image IXFN26N120P IXYS MOSFET N-CH 1200V 23A SOT-227B تحقيق
IXFN230N10 Image IXFN230N10 IXYS MOSFET N-CH 100V 230A SOT-227B تحقيق
IXFN21N100Q Image IXFN21N100Q IXYS MOSFET N-CH 1000V 21A SOT-227B تحقيق
IXFN20N120P Image IXFN20N120P IXYS MOSFET N-CH 1200V 20A SOT-227B تحقيق
IXFN20N120 Image IXFN20N120 IXYS MOSFET N-CH 1200V 20A SOT-227B تحقيق
IXFN24N100 Image IXFN24N100 IXYS MOSFET N-CH 1KV 24A SOT-227B تحقيق
IXFN24N100F Image IXFN24N100F IXYS MOSFET N-CH 1KV 24A SOT227B تحقيق
IXFN240N15T2 Image IXFN240N15T2 IXYS MOSFET N-CH 150V 240A SOT227 تحقيق
IXFN230N20T Image IXFN230N20T IXYS MOSFET N-CH 200V 220A SOT-227 تحقيق
IXFN210N20P Image IXFN210N20P IXYS MOSFET N-CH 200V 188A SOT-227B تحقيق
IXFN24N90Q Image IXFN24N90Q IXYS MOSFET N-CH 900V 24A SOT-227B تحقيق
IXFN280N085 Image IXFN280N085 IXYS MOSFET N-CH 85V 280A SOT-227B تحقيق
IXFN260N17T Image IXFN260N17T IXYS MOSFET N-CH 170V 245A SOT-227 تحقيق
IXFN26N90 Image IXFN26N90 IXYS MOSFET N-CH 900V 26A SOT-227B تحقيق
IXFN280N07 Image IXFN280N07 IXYS MOSFET N-CH 70V 280A SOT-227B تحقيق

Latest الأخبار