يشترى BF1214,115 مع BYCHPS
شراء مع ضمان
BF1214,115
- رقم القطعة:
- BF1214,115
- وصف:
- FET RF 6V 400MHZ 6TSSOP
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 12172 Pieces
- ورقة البيانات:
- BF1214,115.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل BF1214,115 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك BF1214,115 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| الجهد - اختبار: | 5V |
|---|---|
| الجهد - تقييمه: | 6V |
| نوع الترانزستور: | N-Channel Dual Gate |
| تجار الأجهزة حزمة: | 6-TSSOP |
| سلسلة: | - |
| مخرج قوي: | - |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| اسماء اخرى: | 934061308115 BF1214 T/R BF1214 T/R-ND |
| الضوضاء الشكل: | 0.9dB |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع الجزء رقم: | BF1214,115 |
| ربح: | 31dB |
| تردد: | 400MHz |
| وصف موسع: | RF Mosfet N-Channel Dual Gate 5V 18mA 400MHz 31dB 6-TSSOP |
| وصف: | FET RF 6V 400MHZ 6TSSOP |
| التصويت الحالي: | 30mA |
| الحالي - اختبار: | 18mA |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لBF1214,115
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
MRF5S21090HR3 | NXP USA Inc. | FET RF 65V 2.11GHZ NI-780 | تحقيق |
 |
PTFB092707FHV1R0XTMA1 | Infineon Technologies | IC AMP RF LDMOS H-37288L-4 | تحقيق |
 |
BF1212R,215 | NXP USA Inc. | MOSFET N-CH DUAL GATE 6V SOT143R | تحقيق |
 |
BF1215,115 | NXP USA Inc. | FET RF 6V 400MHZ 6TSSOP | تحقيق |
|
PTAB182002TCV2R250XTMA1 | Infineon Technologies | IC RF FET LDMOS 190W H-49248H-4 | تحقيق |
 |
BLC2425M9LS250Z | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 18.5DB SOT12701 | تحقيق |
 |
MRF6VP3450HR5 | NXP USA Inc. | FET RF 2CH 110V 860MHZ NI-1230 | تحقيق |
 |
BLC8G20LS-310AVZ | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 17DB SOT12583 | تحقيق |
 |
SMMBFJ310LT3G | ON Semiconductor | JFET N-CH 25V 10MA SOT23 | تحقيق |
 |
BLM7G1822S-80ABY | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 31DB SOT12111 | تحقيق |
 |
BF1212WR,115 | NXP USA Inc. | MOSFET N-CH DUAL GATE 6V SOT343R | تحقيق |
|
BF1211,215 | NXP USA Inc. | MOSFET N-CH DUAL GATE 6V SOT143B | تحقيق |
|
BF1218,115 | NXP USA Inc. | FET RF 6V 400MHZ 6TSSOP | تحقيق |
|
BF1216,115 | NXP USA Inc. | FET RF 6V 400MHZ 6TSSOP | تحقيق |
|
BF1210,115 | NXP USA Inc. | FET RF 6V 400MHZ 6TSSOP | تحقيق |
|
BF1211WR,115 | NXP USA Inc. | MOSFET N-CH DUAL GATE 6V SOT343R | تحقيق |
|
BF1211R,215 | NXP USA Inc. | MOSFET N-CH DUAL GATE 6V SOT143R | تحقيق |
|
BF1212,215 | NXP USA Inc. | MOSFET N-CH DUAL GATE 6V SOT143B | تحقيق |
|
BF1217WR,115 | NXP USA Inc. | MOSFET N-CH DUAL SOT343R | تحقيق |
 |
CGH55015F2 | Cree/Wolfspeed | FET RF 84V 5.65GHZ 440166 | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI to reduce costs in Wireless business; OMAP™ processors and wireless connectivity solutions will focus on embedded markets
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers