يشترى BLC2425M9LS250Z مع BYCHPS
شراء مع ضمان
BLC2425M9LS250Z
- رقم القطعة:
- BLC2425M9LS250Z
- الصانع:
- Ampleon
- وصف:
- RF FET LDMOS 65V 18.5DB SOT12701
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 12070 Pieces
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل BLC2425M9LS250Z ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك BLC2425M9LS250Z عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| الجهد - اختبار: | 32V |
|---|---|
| الجهد - تقييمه: | 65V |
| نوع الترانزستور: | LDMOS |
| سلسلة: | - |
| مخرج قوي: | 250W |
| التعبئة والتغليف: | Tray |
| حزمة / كيس: | SOT-1270-1 |
| اسماء اخرى: | 1603-1084 |
| الضوضاء الشكل: | - |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 3 (168 Hours) |
| الصانع المهلة القياسية: | 13 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | BLC2425M9LS250Z |
| ربح: | 18.5dB |
| تردد: | 2.45GHz |
| وصف موسع: | RF Mosfet LDMOS 32V 20mA 2.45GHz 18.5dB 250W |
| وصف: | RF FET LDMOS 65V 18.5DB SOT12701 |
| التصويت الحالي: | - |
| الحالي - اختبار: | 20mA |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لBLC2425M9LS250Z
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
BLF6G27L-50BN,118 | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 16DB SOT1112A | تحقيق |
 |
MRF377HR3 | NXP USA Inc. | FET RF 65V 860MHZ NI-860C | تحقيق |
|
MMRF1004GNR1 | NXP USA Inc. | FET RF 68V 2.17GHZ TO270G-2 | تحقيق |
 |
MRF6VP3450HR5 | NXP USA Inc. | FET RF 2CH 110V 860MHZ NI-1230 | تحقيق |
 |
BLM7G1822S-80ABY | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 31DB SOT12111 | تحقيق |
 |
BLC2425M8LS300PZ | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 17DB SOT12501 | تحقيق |
 |
BLC2425M8LS300PY | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 17DB SOT12501 | تحقيق |
 |
BLC8G20LS-310AVZ | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 17DB SOT12583 | تحقيق |
 |
BLC8G21LS-160AVY | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 15DB SOT12751 | تحقيق |
 |
MRF5S21090HR3 | NXP USA Inc. | FET RF 65V 2.11GHZ NI-780 | تحقيق |
 |
CGH55015F2 | Cree/Wolfspeed | FET RF 84V 5.65GHZ 440166 | تحقيق |
 |
PTAB182002TCV2R250XTMA1 | Infineon Technologies | IC RF FET LDMOS 190W H-49248H-4 | تحقيق |
 |
J300 | Fairchild/ON Semiconductor | JFET N-CH 25V TO92 | تحقيق |
 |
BLA6H0912LS-1000U | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 100V 15.5DB SOT539B | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog