يشترى BF1211WR,115 مع BYCHPS
شراء مع ضمان
BF1211WR,115
- رقم القطعة:
- BF1211WR,115
- وصف:
- MOSFET N-CH DUAL GATE 6V SOT343R
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 15426 Pieces
- ورقة البيانات:
- BF1211WR,115.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل BF1211WR,115 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك BF1211WR,115 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| الجهد - اختبار: | 5V |
|---|---|
| الجهد - تقييمه: | 6V |
| نوع الترانزستور: | N-Channel Dual Gate |
| تجار الأجهزة حزمة: | CMPAK-4 |
| سلسلة: | - |
| مخرج قوي: | - |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | SC-82A, SOT-343 |
| اسماء اخرى: | 568-1961-2 934057513115 BF1211WR |
| الضوضاء الشكل: | 0.9dB |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع الجزء رقم: | BF1211WR,115 |
| ربح: | 29dB |
| تردد: | 400MHz |
| وصف موسع: | RF Mosfet N-Channel Dual Gate 5V 15mA 400MHz 29dB CMPAK-4 |
| وصف: | MOSFET N-CH DUAL GATE 6V SOT343R |
| التصويت الحالي: | 30mA |
| الحالي - اختبار: | 15mA |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لBF1211WR,115
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
BF1212WR,115 | NXP USA Inc. | MOSFET N-CH DUAL GATE 6V SOT343R | تحقيق |
 |
CGHV14800F | Cree/Wolfspeed | 800-W 1200-1400-MHZ GAN HEMT | تحقيق |
 |
BF1211R,215 | NXP USA Inc. | MOSFET N-CH DUAL GATE 6V SOT143R | تحقيق |
 |
CLF1G0035S-100,112 | Ampleon USA Inc. | RF FET HEMT 150V 12DB SOT467B | تحقيق |
 |
BLF6G05LS-200RN,11 | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 24DB SOT502B | تحقيق |
|
BF908R,235 | NXP USA Inc. | MOSFET DUAL GATE 12V 40MA SOT143 | تحقيق |
|
BF1211,215 | NXP USA Inc. | MOSFET N-CH DUAL GATE 6V SOT143B | تحقيق |
 |
BF1210,115 | NXP USA Inc. | FET RF 6V 400MHZ 6TSSOP | تحقيق |
 |
MRF6P27160HR6 | NXP USA Inc. | FET RF 68V 2.66GHZ NI-1230 | تحقيق |
|
BF1216,115 | NXP USA Inc. | FET RF 6V 400MHZ 6TSSOP | تحقيق |
|
AFT09S220-02NR3 | NXP USA Inc. | IC TRANS RF LDMOS | تحقيق |
|
BF1215,115 | NXP USA Inc. | FET RF 6V 400MHZ 6TSSOP | تحقيق |
|
BF1214,115 | NXP USA Inc. | FET RF 6V 400MHZ 6TSSOP | تحقيق |
|
BF1217WR,115 | NXP USA Inc. | MOSFET N-CH DUAL SOT343R | تحقيق |
|
BF1218,115 | NXP USA Inc. | FET RF 6V 400MHZ 6TSSOP | تحقيق |
|
BF1212,215 | NXP USA Inc. | MOSFET N-CH DUAL GATE 6V SOT143B | تحقيق |
|
BF1212R,215 | NXP USA Inc. | MOSFET N-CH DUAL GATE 6V SOT143R | تحقيق |
 |
PTFA091201HL V1 R250 | Infineon Technologies | IC FET RF LDMOS 120W PG-64248-2 | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog