يشترى APT33N90JCCU3 مع BYCHPS
شراء مع ضمان
APT33N90JCCU3
- رقم القطعة:
- APT33N90JCCU3
- الصانع:
- Microsemi
- وصف:
- MOSFET N-CH 900V 33A SOT227
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 14100 Pieces
- ورقة البيانات:
- APT33N90JCCU3.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل APT33N90JCCU3 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك APT33N90JCCU3 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 3.5V @ 3mA |
|---|---|
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | SOT-227 |
| سلسلة: | CoolMOS™ |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 120 mOhm @ 26A, 10V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 290W (Tc) |
| التعبئة والتغليف: | Bulk |
| حزمة / كيس: | SOT-227-4, miniBLOC |
| درجة حرارة التشغيل: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Chassis Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع الجزء رقم: | APT33N90JCCU3 |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 6800pF @ 100V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 270nC @ 10V |
| نوع FET: | N-Channel |
| FET الميزة: | Super Junction |
| وصف موسع: | N-Channel 900V 33A 290W (Tc) Chassis Mount SOT-227 |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 900V |
| وصف: | MOSFET N-CH 900V 33A SOT227 |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 33A |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لAPT33N90JCCU3
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
FQA36P15_F109 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET P-CH 150V 36A TO-3P | تحقيق |
 |
APT33N90JCU2 | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 900V 33A SOT227 | تحقيق |
|
APT33N90JCCU2 | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 900V 33A SOT227 | تحقيق |
|
APT33N90JCU3 | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 900V 33A SOT227 | تحقيق |
 |
APT33GF120BRG | Microsemi Corporation | IGBT 1200V 52A 297W TO247 | تحقيق |
 |
IRLI610ATU | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 200V 3.3A I2PAK | تحقيق |
 |
SI4684DY-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V 16A 8-SOIC | تحقيق |
 |
IRFBC20SPBF | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 600V 2.2A D2PAK | تحقيق |
 |
BUK9Y107-80EX | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 80V 11.8A LFPAK | تحقيق |
 |
APT33GF120B2RDQ2G | Microsemi Corporation | IGBT 1200V 64A 357W TMAX | تحقيق |
|
FDP12N50 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 500V 11.5A TO-220 | تحقيق |
 |
IXFX180N07 | IXYS | MOSFET N-CH 70V 180A PLUS247 | تحقيق |
 |
APT33GF120LRDQ2G | Microsemi Corporation | IGBT 1200V 64A 357W TO264 | تحقيق |
 |
STI6N80K5 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 800V 4.5A I2PAK | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI to reduce costs in Wireless business; OMAP™ processors and wireless connectivity solutions will focus on embedded markets
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers